公开(公告)号：CN1460297A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800849.9

申请日：2002-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森胁将 ,  丹羽正昭 ,  久保田正文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底100上造成硅酸锆层103，同时在硅酸锆层103上造成锆氧化物层102，然后除去该锆氧化物层102，从而造成由硅酸锆层103所构成的栅极绝缘膜104。

公开(公告)号：CN1310336C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02800849.9

申请日：2002-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森胁将 ,  丹羽正昭 ,  久保田正文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底(100)上造成硅酸锆层(103)，同时在硅酸锆层(103)上造成锆氧化物层(102)，然后除去该锆氧化物层(102)，从而造成由硅酸锆层(103)所构成的栅极绝缘膜(104)。