公开(公告)号：CN115332331A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211074782.4

申请日：2022-09-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吕伟锋 ,  魏伟杰 ,  韩颖 ,  张彩云 ,  谌登科

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种负电容环栅源极重叠隧穿场效应晶体管。本发明通过在源极和沟道的接触面构成硅‑锗异质结，通过铁电介质层产生负电容效应和将栅极向源极延伸构成源极重叠区，通过可以调节的铁电介质层厚度和源极重叠区长度来进一步提高异质结处的带带隧穿几率，使导通电流得到提升，有效克服了已有GAA‑TFET驱动能力不足的缺点。

公开(公告)号：CN115939212A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211421116.3

申请日：2022-11-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 韩颖 ,  吕伟锋 ,  魏伟杰 ,  张彩云 ,  谌登科

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种非对称横向高斯掺杂的负电容无结环栅晶体管及制备方法。本发明通过在整个沟道和漏极延伸区对沿着沟道方向进行横向高斯掺杂，形成全局横向高斯掺杂的浓度分布形式。本发明通过在全局横向高斯掺杂的基础上，调整源/漏延伸区的长度，形成长度与浓度分布均不对称负电容无结环栅晶体管结构，从而降低器件的亚阈值摆幅、提高开关电流比并有效抑制短沟道效应造成的漏致势垒降低效应。