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公开(公告)号：CN116662065A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310705226.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自动读偏移延时优化方法，包括在固态存储内部读取中设置纠错阈值、偏移基准点和偏移步长，其中,所述纠错阈值为一个page页中，ECC机制能够容忍的最大错误比特数；所述偏移基准点为阈值电压偏移值TVS的起始设置值；所述偏移步长为以偏移基准点为中心左右偏移时的单位电压梯度。本发明使用自动读偏移延时优化机制降低了对flash读操作时的误码数。相较于传统的采用默认读取电平进行读取，提高了flash的使用寿命。
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