公开(公告)号：CN109004028B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201810657252.X

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  罗昕 ,  于成浩 ,  曹菲

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与源极相连P型埋层，漏场板；所述源极相连P型埋层位于低浓度陷阱掺杂缓冲层中，所述漏场板位于钝化层上并栅极延伸。本发明的晶体管工作于关态高压时，P型埋层与漏极相连可以充分耗尽沟道和缓冲层中的载流子，从而降低缓冲层中的泄漏电流，同时调制栅漏之间的电场分布。在P型埋层与漏极相连的基础上，漏场板可以进一步调制漏端的电场，最终使该结构器件相对于传统的纯栅场板AlGaN/GaN绝缘栅场效应晶体管，耐压特性上有明显的改善。

公开(公告)号：CN109037325B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201810657234.1

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  罗昕 ,  于成浩 ,  曹菲

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与电极相连反向偏置的PIN埋管；其中，所述电极相连反向偏置的PIN埋管由源极相连P型埋层、低浓度陷阱掺杂缓冲层、漏极相连N型埋层组成。本发明的晶体管工作于关态高压时，PIN埋管处于反向偏置的状态，管中的P型埋层与源极相连，可以充分耗尽沟道和缓冲层中的载流子，从而降低缓冲层中的泄漏电流，同时调制栅漏之间的电场分布。管中的N型埋层与漏极相连，反向偏置下，在漏端引入一个电场峰值，可以进一步调制漏端的电场，耐压特性上有明显的改善。

公开(公告)号：CN109037325A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810657234.1

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  罗昕 ,  于成浩 ,  曹菲

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0615

Abstract: 本发明公开了一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与电极相连反向偏置的PIN埋管；其中，所述电极相连反向偏置的PIN埋管由源极相连P型埋层、低浓度陷阱掺杂缓冲层、漏极相连N型埋层组成。本发明的晶体管工作于关态高压时，PIN埋管处于反向偏置的状态，管中的P型埋层与源极相连，可以充分耗尽沟道和缓冲层中的载流子，从而降低缓冲层中的泄漏电流，同时调制栅漏之间的电场分布。管中的N型埋层与漏极相连，反向偏置下，在漏端引入一个电场峰值，可以进一步调制漏端的电场，耐压特性上有明显的改善。

公开(公告)号：CN109004028A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810657252.X

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  罗昕 ,  于成浩 ,  曹菲

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与源极相连P型埋层，漏场板；所述源极相连P型埋层位于低浓度陷阱掺杂缓冲层中，所述漏场板位于钝化层上并栅极延伸。本发明的晶体管工作于关态高压时，P型埋层与漏极相连可以充分耗尽沟道和缓冲层中的载流子，从而降低缓冲层中的泄漏电流，同时调制栅漏之间的电场分布。在P型埋层与漏极相连的基础上，漏场板可以进一步调制漏端的电场，最终使该结构器件相对于传统的纯栅场板AlGaN/GaN绝缘栅场效应晶体管，耐压特性上有明显的改善。