公开(公告)号：CN113191104B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110562706.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  沈培 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  曹菲

IPC: G06F30/33 ,  G06F30/337

Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET SPICE行为模型构建方法和装置，包括：步骤1、采用沟道电流模型Ids表征SiC MOSFET内核；步骤2、采用受控源对非线性栅漏电容Cgd的电流进行建模，将SiC MOSFET内核的非线性栅漏电容Cgd的电流作为非线性栅漏电容Cgd微分环节和随电压非线性变化的函数f(V)的乘积；步骤3、将SiC MOSFET内核的非线性漏源电容Cds表征为压控电流源GD、导通电阻RD和结电容CJ；采用GD和RD定义二极管的静态特性，采用CJ描述二极管的动态特性。采用本发明的技术方案，可对SiC MOSFET中非线性元器件的等效电路精确描述。

公开(公告)号：CN114744021A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210358599.0

申请日：2022-04-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  沈培 ,  包梦恬 ,  曹菲

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅槽栅功率MOSFET器件及制备方法。本发明使用n型柱包裹侧壁p型柱构成一种侧壁超结电场调制区来改善SiC功率槽栅MOSFET电学性能。本发明侧壁超结电场调制区使得沟槽底部周围电场均匀，从而起到了进一步缓解沟槽底部拐角处高场强，保护了栅氧化层。通过改变n型柱与栅极之间的距离，选取一组最优距离使得击穿电压与比导通电阻之间很好地折中。并且由n型柱包裹层与侧壁p型柱构成的侧壁超结电场调制区具有的p‑n结的面积较SiC全超结槽栅MOSFET结构小，从而导致新结构的栅‑漏电荷Qgd比传统SiC全超结槽栅MOSFET结构的栅‑漏电荷Qgd略小。

公开(公告)号：CN113191104A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110562706.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  沈培 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  曹菲

IPC: G06F30/33 ,  G06F30/337

Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET SPICE行为模型构建方法和装置，包括：步骤1、采用沟道电流模型Ids表征SiC MOSFET内核；步骤2、采用受控源对非线性栅漏电容Cgd的电流进行建模，将SiC MOSFET内核的非线性栅漏电容Cgd的电流作为非线性栅漏电容Cgd微分环节和随电压非线性变化的函数f(V)的乘积；步骤3、将SiC MOSFET内核的非线性漏源电容Cds表征为压控电流源GD、导通电阻RD和结电容CJ；采用GD和RD定义二极管的静态特性，采用CJ描述二极管的动态特性。采用本发明的技术方案，可对SiC MOSFET中非线性元器件的等效电路精确描述。