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公开(公告)号：CN110729352A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910954341.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，在Ti/4H-SiC的肖特基二极管中插入一层Al2O3薄膜，从而改善界面不均匀性以及调节势垒高度。本发明通过在溅射金属Ti之前，原子层沉积生长一层不同厚度的Al2O3薄膜层，通过后续Al2O3与碳化硅发生反应形成偶极子层，引起界面两侧的电势差，从而降低肖特基势垒高度，减小器件功耗，Al2O3薄膜也与碳化硅会产生正势垒，从而也可以减小肖特基二极管的反向泄露电流；通过调整不同的Al2O3薄膜层厚度，产生不同的势垒高度，从而实现势垒高度的可调性。
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