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公开(公告)号：CN116287922B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310297967.X
申请日：2023-03-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于构筑强磁晶耦合合金的制备方法，包括以下步骤：步骤1，根据Tb5Si2Ge(2‑x)Cox合金分子式，使用高纯度Tb、Si、Ge及Co元素进行精确配比。按照所需样品重量要求，对各个原料称重，并混合均匀置于熔炼炉的坩埚中。随后密封炉腔、通入惰性气体，加热升温熔炼，并在惰性气体环境中冷却至室温。按照上述步骤，调整样品朝向，反复熔炼4‑5次，得到合金锭；步骤2，使用超导量子干涉仪测量合金的磁性能；步骤3，利用麦克斯韦关系，进行数值积分获得合金的磁熵变ΔSM，再使用温度平均熵变来确定合金的制冷能力。本发明的制备方法简单，在磁制冷领域应用有着节能、安全、绿色、环保显著优势。
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公开(公告)号：CN115101148A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210759010.8
申请日：2022-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法，包括：确定磁晶耦合材料相变过程中各磁场下高场相结构的体积分数λ(H)；分别获取磁晶耦合材料零场相和高场相的德拜温度，依据德拜模型计算其零场相和高场相的晶格熵；建立零场相和高场相两相共存模型，计算等温条件下材料在相变温区内不同磁场下的晶格熵SL(H)；计算磁晶耦合材料在相转变过程中各磁场下的磁驱晶格熵变ΔSL(H)，确定ΔSL(H)趋于饱和时所需的最小磁场，并找出最大晶格熵变所在温区。本发明为在磁制冷材料中构筑强磁晶耦合、增大总熵变、减小驱动磁场、确定最佳制冷工作温区等方面提供必要的解决方案。
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公开(公告)号：CN116026056B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202310015202.2
申请日：2023-01-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弹热和压热效应的联合制冷系统，弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间设置高压阀门，液压泵的高压端经活塞缸与弹热和压热联合制冷元件连接，液压泵的高压端与低压端之间设置有泄压阀，液压泵的低压端与液压油槽连接，循环水泵设置在高压阀门与冷端换热器之间；弹热和压热联合制冷元件为一段由高分子材料和形状记忆合金构成的双层管道。本发明通过对弹热和压热联合制冷元件加压和泄压，使管道内层的高分子材料在压力的作用下产生压热效应，同时使管道外层的形状记忆合金在张力的作用下产生弹热效应，并利用换热流体在弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间的循环流动，实现制冷效果。
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公开(公告)号：CN118343824A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410453774.3
申请日：2024-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钆基低温磁制冷材料及其制备方法与应用，化学式为NaGdSiO4；在磁场变化为7T时，其最大磁熵变和最大制冷能力分别为46.3J kg‑1K‑1(2.6K)和293.8J kg‑1，在相同条件下超过了商用的磁制冷材料Gd3Ga5O12。所述制备方法包括：首先，将含Na化合物、含Gd化合物、含Si化合物混合均匀，在常压、有氧环境中，升温至300‑500℃，恒温预烧，一次冷却后得预烧料。之后，将预烧料研磨后再次置于常压、有氧环境中，升温至1050‑1150℃二次烧结，冷却后得到NaGdSiO4多晶化合物。本发明在低温物理、空间探测和航空航天等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116026056A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310015202.2
申请日：2023-01-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弹热和压热效应的联合制冷系统，弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间设置高压阀门，液压泵的高压端经活塞缸与弹热和压热联合制冷元件连接，液压泵的高压端与低压端之间设置有泄压阀，液压泵的低压端与液压油槽连接，循环水泵设置在高压阀门与冷端换热器之间；弹热和压热联合制冷元件为一段由高分子材料和形状记忆合金构成的双层管道。本发明通过对弹热和压热联合制冷元件加压和泄压，使管道内层的高分子材料在压力的作用下产生压热效应，同时使管道外层的形状记忆合金在张力的作用下产生弹热效应，并利用换热流体在弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间的循环流动，实现制冷效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116124332B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202211499547.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于高通量微磁学模拟筛选的应力传感检测装置设计方法，包括：获取不同磁致伸缩材料的磁学参数，针对应力传感检测时可能出现涡流损耗、元件破损等弊端，设计合理的多组元磁致伸缩材料器件模型；编写相应的高通量微磁学模拟程序，计算分析不同材料在应力驱动下的磁化强度响应情况，筛选出优异压磁材料成分范围；选择优异压磁材料作为磁弹元件，构建应力传感检测装置，厘清器件中磁化强度随应力变化的响应关系，并进一步优化低应力场下的响应能力；合理设计磁路并利用霍尔元件或线圈获取在应力作用下磁弹元件附近磁场的变化，实现应力传感检测。本发明在医疗检测、墙体裂纹监测、岩层及矿坑压力预警等方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119121027A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411261574.4
申请日：2024-09-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三角阻挫结构的磁制冷合金及其制备方法与应用，其化学式为ErPd2Sb，相变温度为0.56K，在磁场变化为7T时，其最大磁熵变为21.6J·kg‑1·K‑1(1.4K)；利用准绝热退磁制冷设备进行测试，在初始磁场为6T、初始温度为2K时，ErPd2Sb能达到的最低温为0.255K。制备方法包括：1)称取原料Er、Pd和Sb放入高真空电弧炉的坩埚中，充入保护气体，进行熔炼；2)熔炼完成后将样品用钽片完全包裹，并密封在石英管中退火，制得所述低温磁制冷合金。本发明无需用到酸或碱等对环境存在严重污染的物质，绿色环保优势显著，并且制备工艺简单、适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN116124332A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211499547.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于高通量微磁学模拟筛选的应力传感检测装置设计方法，包括：获取不同磁致伸缩材料的磁学参数，针对应力传感检测时可能出现涡流损耗、元件破损等弊端，设计合理的多组元磁致伸缩材料器件模型；编写相应的高通量微磁学模拟程序，计算分析不同材料在应力驱动下的磁化强度响应情况，筛选出优异压磁材料成分范围；选择优异压磁材料作为磁弹元件，构建应力传感检测装置，厘清器件中磁化强度随应力变化的响应关系，并进一步优化低应力场下的响应能力；合理设计磁路并利用霍尔元件或线圈获取在应力作用下磁弹元件附近磁场的变化，实现应力传感检测。本发明在医疗检测、墙体裂纹监测、岩层及矿坑压力预警等方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119479937A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411598713.2
申请日：2024-11-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于第一性原理计算的高压相交变磁性材料设计方法，包括以下步骤：基于候选反铁磁材料的多种相结构，构建相应的晶体模型；针对每一种相结构，设置多种潜在的反铁磁构型；确定每一种相结构下稳定的反铁磁构型；对每一种相进行结构优化，确定候选材料的零压相和高压相，并获得每种相结构稳定存在的压力范围；进行电子特性计算，通过第一性原理计算得到候选材料每种相结构下的电子能带结构，通过观察能带是否存在交错劈裂现象，从而可以判断候选材料的高压相是否具有交变磁性。本发明采用一种经济且精确的方法来分析材料高压相是否具有交变磁性，既降低了计算费用，又避免了繁琐且耗时的实验程序，从而加快了交变磁性材料的发现。
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公开(公告)号：CN118248421A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410453778.1
申请日：2024-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钆基硼锗酸盐磁制冷材料及其制备方法与应用，化合物的化学式为GdBGeO5，所述钆基硼锗酸盐的相变温度在1.8K以下，在磁场变化为7T时，其最大磁熵变为43.7J kg‑1K‑1(2.4K)，最大制冷能力为269.4J kg‑1。所述磁制冷材料合成方法包括：1)将含Gd化合物、含B化合物、含Ge化合物混合均匀，在常压、有氧环境中，升温至300‑500℃，恒温预烧，一次冷却后得预烧料；2)将预烧料研磨后再次置于常压、有氧环境中，升温至1050‑1150℃二次烧结，冷却后得到GdBGeO5多晶化合物。本发明不仅工艺简单且适用于大规模工业化生产。
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