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公开(公告)号：CN116287922B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310297967.X
申请日：2023-03-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于构筑强磁晶耦合合金的制备方法，包括以下步骤：步骤1，根据Tb5Si2Ge(2‑x)Cox合金分子式，使用高纯度Tb、Si、Ge及Co元素进行精确配比。按照所需样品重量要求，对各个原料称重，并混合均匀置于熔炼炉的坩埚中。随后密封炉腔、通入惰性气体，加热升温熔炼，并在惰性气体环境中冷却至室温。按照上述步骤，调整样品朝向，反复熔炼4‑5次，得到合金锭；步骤2，使用超导量子干涉仪测量合金的磁性能；步骤3，利用麦克斯韦关系，进行数值积分获得合金的磁熵变ΔSM，再使用温度平均熵变来确定合金的制冷能力。本发明的制备方法简单，在磁制冷领域应用有着节能、安全、绿色、环保显著优势。
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公开(公告)号：CN115101148A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210759010.8
申请日：2022-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法，包括：确定磁晶耦合材料相变过程中各磁场下高场相结构的体积分数λ(H)；分别获取磁晶耦合材料零场相和高场相的德拜温度，依据德拜模型计算其零场相和高场相的晶格熵；建立零场相和高场相两相共存模型，计算等温条件下材料在相变温区内不同磁场下的晶格熵SL(H)；计算磁晶耦合材料在相转变过程中各磁场下的磁驱晶格熵变ΔSL(H)，确定ΔSL(H)趋于饱和时所需的最小磁场，并找出最大晶格熵变所在温区。本发明为在磁制冷材料中构筑强磁晶耦合、增大总熵变、减小驱动磁场、确定最佳制冷工作温区等方面提供必要的解决方案。
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公开(公告)号：CN116026056B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202310015202.2
申请日：2023-01-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弹热和压热效应的联合制冷系统，弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间设置高压阀门，液压泵的高压端经活塞缸与弹热和压热联合制冷元件连接，液压泵的高压端与低压端之间设置有泄压阀，液压泵的低压端与液压油槽连接，循环水泵设置在高压阀门与冷端换热器之间；弹热和压热联合制冷元件为一段由高分子材料和形状记忆合金构成的双层管道。本发明通过对弹热和压热联合制冷元件加压和泄压，使管道内层的高分子材料在压力的作用下产生压热效应，同时使管道外层的形状记忆合金在张力的作用下产生弹热效应，并利用换热流体在弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间的循环流动，实现制冷效果。
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公开(公告)号：CN119382364A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411529282.4
申请日：2024-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用冲击能量发电方法及装置，利用各向同性的压强变化驱动压力敏感型磁性复合材料的磁性相变，使其磁通密度发生变化；所述压力敏感型磁性复合材料包括磁性金属间化合物Mn‑Co‑Si‑Ge与固态压强传导媒介。本发明利用固态压强传导媒介，将单轴方向的冲击力转变为各向同性的压强变化，因此对Mn‑Co‑Si‑Ge合金颗粒的力学强度无特殊要求，具有承载能力强的优势；并且所用的Mn‑Co‑Si‑Ge合金为过渡族金属间化合物，材料成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118980724A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411124346.2
申请日：2024-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用。在干净的导电衬底FTO上，以包括ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S的水溶液为前体溶液，直接通过一步简易水热法，原位制备ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。基于ZnIn2S4的PEC型自供电光电探测器包括电解液、参比电极、工作电极、对电极，工作电极即为ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。本发明开发了一种基于硫脲浓度调控的限域生长方法来双向地调控ZnIn2S4原子层的层数堆叠，从而基于不同层数的ZnIn2S4制备了ZnIn2S4PEC型自供电光电探测器。根据不同层数的ZnIn2S4可调谐的光电特性，实现了宽光谱光电探测和紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN118343824A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410453774.3
申请日：2024-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钆基低温磁制冷材料及其制备方法与应用，化学式为NaGdSiO4；在磁场变化为7T时，其最大磁熵变和最大制冷能力分别为46.3J kg‑1K‑1(2.6K)和293.8J kg‑1，在相同条件下超过了商用的磁制冷材料Gd3Ga5O12。所述制备方法包括：首先，将含Na化合物、含Gd化合物、含Si化合物混合均匀，在常压、有氧环境中，升温至300‑500℃，恒温预烧，一次冷却后得预烧料。之后，将预烧料研磨后再次置于常压、有氧环境中，升温至1050‑1150℃二次烧结，冷却后得到NaGdSiO4多晶化合物。本发明在低温物理、空间探测和航空航天等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119104956A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411052687.3
申请日：2024-08-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种用于振动样品磁强计的测量线圈组，由四个线圈构成，分两组布置于一对电磁铁极头上。同侧电磁铁极头上的两个线圈沿样品的振动方向上下排列且相互紧贴，对侧线圈位于同一高度。每个线圈在电磁铁极头平面上的投影均不为圆形，投影沿样品振动方向的宽度与垂直于样品振动方向的宽度之比小于1，即Z方向宽度与Y方向宽度之比小于1。本发明通过增加测量线圈在样品振动中心高度附近的覆盖面积，来提升测量线圈组的灵敏度，同时将测量线圈沿Y方向适当拉伸，降低了样品位置沿X和Y方向的横向偏离对测量结果带来的误差，从而提高了测量结果的准确性和可重复性。
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公开(公告)号：CN116847644A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310841670.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H05K9/00 , C01B32/921 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于电磁波低频吸收材料制备技术领域，涉及一种二维FeNi3@MXene纳米结构电磁波低频吸收材料及其制备方法，采用去除Ti3AlC2前驱体的中间层Al的方法制备了MXene纳米片，然后在常温的条件下与FeNi3合金颗粒复合构筑多层复合电磁波吸收材料；该电磁波吸收材料的电磁性质可由MXene的复合比例调控。二维多层复合材料中具有丰富的界面，可允许入射电磁波在纳米片之间多重反射和散射，使入射电磁波更加有效地耗散，同时界面极化效应明显，可以使更多的电磁波被衰减，有助于提高介电损耗。并且该复合结构中包裹有磁性颗粒，可以增强复合物的磁损耗，进而使得该复合材料表现出更加优异的电磁波吸收性能。
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公开(公告)号：CN116026056A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310015202.2
申请日：2023-01-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弹热和压热效应的联合制冷系统，弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间设置高压阀门，液压泵的高压端经活塞缸与弹热和压热联合制冷元件连接，液压泵的高压端与低压端之间设置有泄压阀，液压泵的低压端与液压油槽连接，循环水泵设置在高压阀门与冷端换热器之间；弹热和压热联合制冷元件为一段由高分子材料和形状记忆合金构成的双层管道。本发明通过对弹热和压热联合制冷元件加压和泄压，使管道内层的高分子材料在压力的作用下产生压热效应，同时使管道外层的形状记忆合金在张力的作用下产生弹热效应，并利用换热流体在弹热和压热联合制冷元件与冷端换热器之间的循环流动，实现制冷效果。
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