公开(公告)号：CN117625182A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311612018.2

申请日：2023-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 钟家松 ,  梁良 ,  陈芳 ,  余英强 ,  陈雨琪 ,  张腾 ,  毛启楠

IPC: C09K11/62 ,  C01G15/00 ,  G06F21/60

Abstract: 本发明公开一种余辉可调的Cu2+‑Li+共掺杂镓酸盐荧光材料，此材料是一种具有宽发射带(～230nm)和长余辉性能(～20min)的新型光学材料。此外，随着Li+的加入，发射强度增强(6.62倍)，缺陷浓度增加(3.6倍)，余辉时间延长(～20min)，从而实现了余辉可调谐的过程。本发明中的余辉调制缺陷工程策略可能进一步激发制备高性能的光学信息存储和加密高性能长余辉材料的创新思想。

公开(公告)号：CN119900070A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411962283.8

申请日：2024-12-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 裴浪 ,  余英强 ,  马占峰 ,  钟家松 ,  刘晓

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/22 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种熔盐法制备片状单晶Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉粉体材料的方法。先制得前驱体，将前驱体与熔盐按1:1混合，研磨均匀，在还原气氛下800℃烧结2h，保温结束后用去离子水洗涤，烘干，获得片状单晶材料。本发明有效降低了反应温度，缩短反应时间，通过选择适当的实验条件能实现对产物形貌的控制。制得的单晶Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料形貌为规则的片状，大小均匀，在365nm激发下,有长达24h的余辉时间。该材料的余辉性能和热稳定性相较于已报导的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+材料有显著提升，这一方法为后续长余辉材料的研发提供了新的研究思路。