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公开(公告)号：CN112599271A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011475474.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于空间辐射防护技术领域的一种抗高能电子辐射多层结构屏蔽材料及其制备方法。根据空间辐射环境对材料重量和屏蔽性能等强约束条件及要求，采用多层屏蔽的设计方法，设计的屏蔽材料主体层由高Z金属钽和低Z金属镁复合而成。当面密度为2g/cm2时，该层状复合屏蔽材料对3.5MeV电子的屏蔽性能大于80％。基于冶金学原理引入Ti、Cu、Al等金属过渡层，通过扩散焊连接技术实现了Mg、Ta互不相容金属的冶金结合。
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