公开(公告)号：CN118707138A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410786444.6

申请日：2024-06-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 余健辉 ,  吕展 ,  柯泽 ,  彭毅昕 ,  张玉森 ,  吴春玲 ,  钟永春 ,  朱文国

IPC: G01Q60/18 ,  G01Q60/22

Abstract: 本发明涉及近场光学成像技术领域，更具体地，涉及一种微纳光纤探针的间隔控制方法及控制系统。本发明基于反射光功率的转折点来确定微纳光纤探针和待测样品的间距控制终点，具有效率高、稳定性好，且实现方式简单等优点。首先，提供一种微纳光纤探针的间隔控制方法，包括：使接有入射光源的微纳光纤探针的探头逐渐接近待测样品，获取微纳光纤探针与待测样品的间距参数，以及收集入射光源传播至待测样品后产生的反射光，并获取间距参数对应的反射光功率参数；直至获取反射光功率参数最大值及其相对应的间距参数Gfinal，使微纳光纤探针与待测样品的间距对应间距参数Gfinal，即完成微纳光纤探针的间隔控制。其次还提供一种适用上述间隔控制方法的系统。

公开(公告)号：CN219738974U

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202321288449.3

申请日：2023-05-24

Applicant: 暨南大学

Inventor： 余健辉 ,  林子祺 ,  吕展 ,  韩龙威 ,  张宇 ,  张玉森 ,  钟永春

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型涉及光电探测、非线性光学领域，更具体地，涉及一种光纤集成光学倍频光电探测器。本实用新型的目的在于解决现有基于单层过渡金属硫族化合物的光电探测器探测光波段的范围较窄的问题，具体包括衬底以及自下而上依次层叠设置在衬底上的栅极、绝缘层、叉指电极、单层过渡金属硫族化合物薄膜和具有双锥形结构的微纳光纤，叉指电极的上表面紧贴于单层过渡金属硫族化合物薄膜的下表面，具有双锥形结构的微纳光纤对应紧贴于单层过渡金属硫族化合物薄膜的上表面。