公开(公告)号：CN102892746A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024123.3

申请日：2011-04-05

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 ,  住友电木株式会社

Inventor： P·坎达纳拉什切 ,  藤田一义 ,  S·史密斯 ,  L·F·罗迪斯

IPC: C07C205/03 ,  C08F24/00 ,  C08F28/06 ,  C08F32/00 ,  C08F232/08 ,  C08G61/08 ,  G03C5/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了用于浸入式光刻方法的非自可成像降冰片烯型聚合物，制备这样的聚合物的方法，使用这样的聚合物的组合物和利用这样的组合物的浸入式光刻方法。更具体地，本发明的实施方案涉及用于在浸入式光刻方法中形成覆盖光刻胶层的顶部涂层的降冰片烯型聚合物及其方法。

公开(公告)号：CN109196676A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780030280.2

申请日：2017-05-15

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： I·阿弗尼纳 ,  T·巴克隆德 ,  L·F·罗迪斯 ,  H·A·巴尔古恩

IPC: H01L51/30

Abstract: 本发明涉及包含具有侧接发色基的聚环烯烃聚合物的有机介电层，该侧接发色基在230至290nm的波长范围内具有吸收最大值，且涉及包含该有机介电层的有机电子器件。

公开(公告)号：CN104245783B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201380021628.3

申请日：2013-04-18

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： P·米希凯维奇 ,  T·巴克隆德 ,  P·E·梅 ,  T·卡尔 ,  L·F·罗迪斯 ,  E·埃尔斯 ,  A·贝尔

IPC: C08G61/08 ,  H01L27/32 ,  C08L65/00

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及多环烯烃聚合物在有机电子器件中作为结构限定材料的用途，例如在这些器件的隔板、绝缘结构或堤岸结构中，且进一步涉及包含该多环烯烃聚合物堤岸结构的有机电子器件，且涉及制备该多环烯烃聚合物堤岸结构和有机电子器件的方法。

公开(公告)号：CN104245783A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021628.3

申请日：2013-04-18

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： P·米希凯维奇 ,  T·巴克隆德 ,  P·E·梅 ,  T·卡尔 ,  L·F·罗迪斯 ,  E·埃尔斯 ,  A·贝尔

IPC: C08G61/08 ,  H01L27/32 ,  C08L65/00

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及多环烯烃聚合物在有机电子器件中作为结构限定材料的用途，例如在这些器件的隔板、绝缘结构或堤岸结构中，且进一步涉及包含该多环烯烃聚合物堤岸结构的有机电子器件，且涉及制备该多环烯烃聚合物堤岸结构和有机电子器件的方法。

公开(公告)号：CN109196676B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201780030280.2

申请日：2017-05-15

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： I·阿弗尼纳 ,  T·巴克隆德 ,  L·F·罗迪斯 ,  H·A·巴尔古恩

IPC: H10K10/46 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明涉及包含具有侧接发色基的聚环烯烃聚合物的有机介电层，该侧接发色基在230至290nm的波长范围内具有吸收最大值，且涉及包含该有机介电层的有机电子器件。

公开(公告)号：CN108886096A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018991.8

申请日：2017-03-22

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 ,  默克专利股份有限公司

Inventor： L·F·罗迪斯 ,  H·巴尔古恩 ,  I·阿弗尼纳 ,  T·巴克隆德 ,  A·莫雷

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/004 ,  C08F132/08 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及有机电子器件，和更具体地涉及有机场效应晶体管，其包含含有多环烯烃聚合物和双吖丙啶化合物的介电层。

公开(公告)号：CN104105726A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380008858.6

申请日：2013-01-29

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： P·维尔兹乔维克 ,  P·米斯基韦茨 ,  T·巴克隆德 ,  陈莉惠 ,  P·C·布鲁克斯 ,  I·阿福尼娜 ,  L·F·罗迪斯 ,  A·贝尔

IPC: C08F232/08 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/107 ,  C08F232/08 ,  C08G2261/418 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及包含聚环烯烃平坦化层的有机电子器件，更具体地涉及位于基板与功能层，例如半导体层、介电层或电极，之间的平坦化层，进一步涉及此类平坦化层在有机电子器件中的用途，和涉及此类聚环烯烃平坦化层和有机电子器件的生产方法。

公开(公告)号：CN105038069B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201510255696.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一義 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC: C08L45/00 ,  C08K5/3415 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN104877292A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510255678.9

申请日：2011-08-26

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一義 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC: C08L45/00

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN103261250A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180042505.9

申请日：2011-08-26

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一羲 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC: C08F232/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。