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公开(公告)号：CN102046841A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980116331.9
申请日：2009-05-05
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/517 , C23C16/52 , C23C30/00 , H01L51/5203 , H01L51/5259 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/566
Abstract: 一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包含一个有机的器件本体。该方法涉及使用通过化学气相沉积而沉积成的一种混合层。这种混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是用来自相同前体材料来源创造的。在此还披露了多种用于阻止环境污染物的侧向扩散的技术。
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公开(公告)号：CN104141112B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410197157.8
申请日：2009-05-05
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/517 , C23C16/52 , C23C30/00 , H01L51/5203 , H01L51/5259 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/566
Abstract: 一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包含一个有机的器件本体。该方法涉及使用通过化学气相沉积而沉积成的一种混合层。这种混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是用来自相同前体材料来源创造的。在此还披露了多种用于阻止环境污染物的侧向扩散的技术。
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公开(公告)号：CN104141112A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410197157.8
申请日：2009-05-05
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/517 , C23C16/52 , C23C30/00 , H01L51/5203 , H01L51/5259 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/566
Abstract: 一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包含一个有机的器件本体。该方法涉及使用通过化学气相沉积而沉积成的一种混合层。这种混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是用来自相同前体材料来源创造的。在此还披露了多种用于阻止环境污染物的侧向扩散的技术。
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公开(公告)号：CN102046841B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980116331.9
申请日：2009-05-05
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/517 , C23C16/52 , C23C30/00 , H01L51/5203 , H01L51/5259 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/566
Abstract: 一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包含一个有机的器件本体。该方法涉及使用通过化学气相沉积而沉积成的一种混合层。这种混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是用来自相同前体材料来源创造的。在此还披露了多种用于阻止环境污染物的侧向扩散的技术。
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公开(公告)号：CN103187455A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310110156.0
申请日：2007-10-31
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/0272 , C23C16/509 , H01L51/0094 , H01L51/5253
Abstract: 公开了在表面上形成涂层的方法。该方法包括在表面上沉积包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的杂化层。该杂化层可以具有单一相或包含多个相。使用单一前体材料源通过化学气相沉积形成该杂化层。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。杂化层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如氧化硅。通过改变反应条件，可以调节聚合物材料与非聚合材料的重量%比率。该杂化层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能，例如透光性、不可渗透性和/或柔韧性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187455B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310110156.0
申请日：2007-10-31
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/0272 , C23C16/509 , H01L51/0094 , H01L51/5253
Abstract: 公开了在表面上形成涂层的方法。该方法包括在表面上沉积包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的杂化层。该杂化层可以具有单一相或包含多个相。使用单一前体材料源通过化学气相沉积形成该杂化层。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。杂化层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如氧化硅。通过改变反应条件，可以调节聚合物材料与非聚合材料的重量%比率。该杂化层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能，例如透光性、不可渗透性和/或柔韧性。
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公开(公告)号：CN102113120B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN200980130189.3
申请日：2009-07-30
Applicant: 普林斯顿大学理事会
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: H01L29/4908 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/31633 , H01L29/66765
Abstract: 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。
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公开(公告)号：CN101553600B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200780045610.1
申请日：2007-10-31
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Abstract: 公开了在表面上形成涂层的方法。该方法包括在表面上沉积包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的杂化层。该杂化层可以具有单一相或包含多个相。使用单一前体材料源通过化学气相沉积形成该杂化层。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。杂化层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如氧化硅。通过改变反应条件，可以调节聚合物材料与非聚合材料的重量％比率。该杂化层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能，例如透光性、不可渗透性和/或柔韧性。
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公开(公告)号：CN102113120A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130189.3
申请日：2009-07-30
Applicant: 普林斯顿大学理事会
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: H01L29/4908 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/31633 , H01L29/66765
Abstract: 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。
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公开(公告)号：CN101553600A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045610.1
申请日：2007-10-31
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Abstract: 公开了在表面上形成涂层的方法。该方法包括在表面上沉积包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的杂化层。该杂化层可以具有单一相或包含多个相。使用单一前体材料源通过化学气相沉积形成该杂化层。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。杂化层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如氧化硅。通过改变反应条件，可以调节聚合物材料与非聚合材料的重量％比率。该杂化层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能，例如透光性、不可渗透性和/或柔韧性。
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