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公开(公告)号：CN117852210A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410010951.0
申请日：2024-01-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，属于水冷屏设计技术领域。该方法包括确定当前单晶硅棒圆柱面对水冷屏内表面的角系数；根据单晶硅棒与水冷屏的结构参数对所述角系数进行校正，得到单晶硅棒对水冷屏的辐射传热角系数；根据所述辐射传热角系数确定水冷屏的参数。本发明可获得不同形状的水冷屏与单晶硅棒之间的辐射传热角系数，进而为水冷屏的选取和设计提供科学依据。
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公开(公告)号：CN118745511A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411121674.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B4/06 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C27/02 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22B9/10 , C01B33/037 , B09B3/40
Abstract: 本发明公开了一种通过补偿法利用光伏硅废料设计制备硅基高熵合金的方法，具体包括以下步骤：（1）将硅片切割浆液进行预处理；（2）高温精炼，随炉冷却；（3）破碎，并与溶剂金属进行熔料，待金属完全熔化后进行定向凝固，随炉冷却；（4）沿硅富集区与硅基合金的分界面切割分离，得到硅富集区；（5）按照硅基高熵合金的组分配比，配制目标金属材料；（6）将硅富集区与目标金属材料进行熔炼，静置保温，浇注到模具中，随炉冷却，即得。本发明利用“补偿法”设计制备硅基高熵合金的新思路能够缩短除杂流程，并通过合理的成分调配和组织控制，实现优质高熵合金材料的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118745511B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411121674.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B4/06 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C27/02 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22B9/10 , C01B33/037 , B09B3/40
Abstract: 本发明公开了一种通过补偿法利用光伏硅废料设计制备硅基高熵合金的方法，具体包括以下步骤：（1）将硅片切割浆液进行预处理；（2）高温精炼，随炉冷却；（3）破碎，并与溶剂金属进行熔料，待金属完全熔化后进行定向凝固，随炉冷却；（4）沿硅富集区与硅基合金的分界面切割分离，得到硅富集区；（5）按照硅基高熵合金的组分配比，配制目标金属材料；（6）将硅富集区与目标金属材料进行熔炼，静置保温，浇注到模具中，随炉冷却，即得。本发明利用“补偿法”设计制备硅基高熵合金的新思路能够缩短除杂流程，并通过合理的成分调配和组织控制，实现优质高熵合金材料的制备。
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公开(公告)号：CN119660745A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411887250.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/984 , B82Y40/00 , H01M10/54
Abstract: 本发明公开了一种由硅废料和废旧锂电池石墨阳极制备碳化硅的方法，具体包括以下步骤：(1)将金刚线切割硅废料和破碎筛分后的废旧锂离子电池石墨阳极分别进行球磨，混合；(2)高温冶炼，球磨，焙烧；(3)置于酸中，搅拌浸出，离心，洗涤，干燥，球磨，即得。本发明以金刚线切割硅废料和废旧锂离子电池石墨阳极为制备原料，通过球磨、混料、冶炼、焙烧、酸浸、离心及干燥等流程，进行碳化硅的制备及提纯，最终得到高纯度的纳米级碳化硅颗粒。金刚线切割硅废料和废旧锂离子电池石墨阳极的回收利用不仅能够减少资源浪费、减轻环境污染、提高废料的利用率，而且还会产生可观的经济效益。
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公开(公告)号：CN118895431A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411082594.5
申请日：2024-08-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及铝合金制备技术领域，涉及一种利用对掺法和电磁定向凝固制备Al‑Sc合金的方法，具体为在电磁场下铝钪体系中利用电磁搅拌结合定向凝固技术制备出高Sc含量且成分均匀无缺陷的Al‑Sc合金的方法。通过对Sc的添加量、凝固方式、感应电流和下拉速率等条件进行对比，揭示了电磁定向凝固技术在Al‑Sc合金制备过程中促进晶粒细化的机理，建立起相对完善的电磁晶粒细化技术理论模型，有效解决了传统对掺法金属Sc烧损、合金成分不均匀及电磁搅拌过程中产生缺陷等问题，使成分趋于更加均匀、可控的结果，成功熔炼出了几种不同Sc含量的高纯高Sc含量的Al‑Sc合金。
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公开(公告)号：CN118957387A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411058006.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种超高硬度硅掺杂轻质高熵合金及其制备方法，属于高熵合金技术领域。所述超高硬度硅掺杂轻质高熵合金由纯度高于99.99％的Al、Cr、Cu、Fe、Si单质金属按照Al2CrCuFeSix配制后，其中x＝0.5～2.0，并通过真空感应熔炼制得。本发明以轻质高熵合金体系为模板，以Al和Si两种轻质元素来实现低密度，并选择Cr、Cu、Fe这些使用非常广泛的金属元素来合成AlCrCuFeSi系轻质高熵合金，原料成本低，元素间电负性差异小，物化性质相近，对于合金熔炼较为理想，并采用真空感应熔炼，熔炼过程易于控制，合金主元烧损较少，最终得到的成品有成分均匀和性能良好等优点。
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公开(公告)号：CN118957385A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411086605.7
申请日：2024-08-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种Al‑Cr‑Fe‑Ti‑Si轻质高熵合金及其制备方法。一种Al‑Cr‑Fe‑Ti‑Si轻质高熵合金，具有如下分子式：AlaCrFeTiSib，其中，0.5≤a≤2，0＜b≤2。本发明实施例提供的Al‑Cr‑Fe‑Ti‑Si合金的密度为3.93～4.56g/cm3，满足轻质高熵合金标准，同时具有高强高硬的综合力学性能、优异的化学性能，较传统金属材料及其他体系高熵合金具有突出的优势。
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