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公开(公告)号：CN104073779B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410279763.4
申请日：2014-06-20
Applicant: 昆明学院
IPC: C23C16/448 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料领域，提供了一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法，包括：石英管，管式炉，以及气流控制设备，其中，所述管式炉包括炉腔，以及包裹在炉外壁的隔热材料层；所述石英管包括加热区和生长区，加热区位于所述管式炉内部，所述生长区位于管式炉加热区之外；所述石英管包括进气端，出气端，以及小孔通道区和引流通道区，载气引导所述石英管内高温升华的原料气体分子流动到所述石英管的生长区。本发明使得纳米材料的生长过程具有更强的调控作用，提高了纳米材料的制备效率，制备装置成本低廉，操作简单，无污染。
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公开(公告)号：CN107067916A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710356667.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 昆明学院
IPC: G09B23/18
CPC classification number: G09B23/181
Abstract: 一种静电除尘实验演示仪及其实验演示方法，包括箱体部分、电力系统和除尘系统；箱体部分包括底部敞口的绝缘箱体、在箱体前部横穿箱体两侧壁板的水平金属转轴及转轴两端的滚轮、安装于箱体上的手柄；电力系统采用220V、50Hz的交流电供电，包括安装于箱体内后部的升压变压器、整流器、硅钢片、安装于箱体上的开关及连接插头；除尘系统包括套装在转轴上的圆筒状金属阳极、对称装在阳极前后两侧的两排固定在铜片上的针排状金属阴极、连接两条铜片的导线、安装在金属阳极上方的海绵擦及两侧的集尘槽；整流后的电压输出正极通过电刷接于金属转轴上，负极同时接到两条铜片上。本发明操作方便，可直观地进行教学演示，帮助学生加深对尖端放电现象的感性认识。
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公开(公告)号：CN104557952A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510034269.6
申请日：2015-01-23
Applicant: 昆明学院
IPC: C07D487/22 , B82Y40/00
CPC classification number: C07D487/22 , B82Y40/00
Abstract: 一种ι-酞菁锌纳米线，所述ι-酞菁锌纳米线的X-射线衍射谱在下列的2θ处具有特征峰：6.84°、8.342°、9.78°、15.539°和25.855°，对应于上述2θ，半峰宽分别为0.525、0.423、0.469、0.446、0.307；峰高分别为1390、91、95、234、114；衍射强度分别为100％、6.5％、6.8％、16.8％、8.2％；所述X-射线衍射谱的测试条件为：CuKα1，λ＝1.54056，0.02°/step/1s。制备方法包括下列步骤：a)放入酞菁锌原料至炉中的加热区域；b)通入载气并始终保持恒定的流量，加热酞菁锌原料至450-490℃，使酞菁锌升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁锌离开该加热区域至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到ι-酞菁锌纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104086555B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410279515.X
申请日：2014-06-20
Applicant: 昆明学院
Abstract: 本发明涉及一种新晶体结构酞菁钴纳米线及其制备方法领域。提供了一种酞菁钴纳米线，具有J?酞菁钴结构，直径为150nm以下。还提供了一种制备所述的酞菁钴纳米线的方法，包括下列步骤：a)引入酞菁钴源料至管式炉中的加热区域；b)在载气存在下，加热该酞菁钴源料至最高600℃；c)通过该载气，引导该升华的酞菁钴离开该加热区域，至生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁钴纳米线。本发明提出利用气相沉积法，生长得到的纳米量级的酞菁钴晶体，提升和改善了酞菁钴的物理和化学性质，如光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于染料、光电导材料、液晶、电致变色、催化、太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN104086555A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410279515.X
申请日：2014-06-20
Applicant: 昆明学院
Abstract: 本发明涉及一种新晶体结构酞菁钴纳米线及其制备方法领域。提供了一种酞菁钴纳米线，具有J-酞菁钴结构，直径为150nm以下。还提供了一种制备所述的酞菁钴纳米线的方法，包括下列步骤：a)引入酞菁钴源料至管式炉中的加热区域；b)在载气存在下，加热该酞菁钴源料至最高600℃；c)通过该载气，引导该升华的酞菁钴离开该加热区域，至生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁钴纳米线。本发明提出利用气相沉积法，生长得到的纳米量级的酞菁钴晶体，提升和改善了酞菁钴的物理和化学性质，如光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于染料、光电导材料、液晶、电致变色、催化、太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN104073779A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410279763.4
申请日：2014-06-20
Applicant: 昆明学院
IPC: C23C16/448 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料领域，提供了一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法，包括：石英管，管式炉，以及气流控制设备，其中，所述管式炉包括炉腔，以及包裹在炉外壁的隔热材料层；所述石英管包括加热区和生长区，加热区位于所述管式炉内部，所述生长区位于管式炉加热区之外；所述石英管包括进气端，出气端，以及小孔通道区和引流通道区，载气引导所述石英管内高温升华的原料气体分子流动到所述石英管的生长区。本发明使得纳米材料的生长过程具有更强的调控作用，提高了纳米材料的制备效率，制备装置成本低廉，操作简单，无污染。
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公开(公告)号：CN206166492U
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201620353250.8
申请日：2016-04-25
Applicant: 昆明学院
IPC: A47G19/22
Abstract: 一种基于半导体元件加热和制冷的冷热饮水杯，包括有带底盖的外壳(3)和带底盖的内胆(2)；所述内胆为柱向平面相靠的两个半圆柱体水杯，在两个半圆柱体水杯的柱向平面之间夹装有半导体元件(6)，在两个半圆柱体水杯的柱向平面相同位置各开设有小孔，相对的两个小孔之间通过连接管(4)连接；在两个半圆柱体水杯顶部各盖有一个杯盖(1)，两个半圆柱体水杯的底部固定于内胆底盖上；在外壳上安装有通过导线(7)与半导体元件连接的充电接口(5)。本实用新型结构简单可靠，携带方便，制冷和加热效率高，水温平衡效果好，使用安全。
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公开(公告)号：CN205729096U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620352492.5
申请日：2016-04-25
Applicant: 昆明学院
Abstract: 一种可充电加热的便携式高效冷热饮水机，包括有外壳(3)、内胆(2)、分别安装于外壳顶端和底端的外壳顶盖(1)和外壳底盖(5)、安装于内胆底部的内胆底盖(4)；所述内胆为柱向平面相靠的两个半圆柱体水箱，在两个半圆柱体水箱的柱向平面之间夹装有半导体元件(6)，在两个半圆柱体水箱底部各开设有用于连接出水管(7)的出水孔，出水管的另一端连接固定在外壳上的水龙头(8)；在内胆底盖上开设有对接两个半圆柱体水箱底部出水孔的过孔；在外壳顶盖中心设有用于安放矿泉水瓶(11)的螺纹口；在外壳上安装有通过导线(9)与半导体元件连接的充电接口(12)。本实用新型结构简单可靠，制冷和加热效率高，方便实用。
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