公开(公告)号：CN104073779B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410279763.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 昆明学院

Inventor： 王海 ,  罗金龙 ,  纪小林 ,  邹涛隅

IPC: C23C16/448 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料领域，提供了一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法，包括：石英管，管式炉，以及气流控制设备，其中，所述管式炉包括炉腔，以及包裹在炉外壁的隔热材料层；所述石英管包括加热区和生长区，加热区位于所述管式炉内部，所述生长区位于管式炉加热区之外；所述石英管包括进气端，出气端，以及小孔通道区和引流通道区，载气引导所述石英管内高温升华的原料气体分子流动到所述石英管的生长区。本发明使得纳米材料的生长过程具有更强的调控作用，提高了纳米材料的制备效率，制备装置成本低廉，操作简单，无污染。

公开(公告)号：CN104557952A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510034269.6

申请日：2015-01-23

Applicant: 昆明学院

Inventor： 罗金龙 ,  王海 ,  吴琼 ,  纪小林 ,  邹涛隅 ,  乔振芳 ,  杨镒吉 ,  王晓燕

IPC: C07D487/22 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C07D487/22 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种ι-酞菁锌纳米线，所述ι-酞菁锌纳米线的X-射线衍射谱在下列的2θ处具有特征峰：6.84°、8.342°、9.78°、15.539°和25.855°，对应于上述2θ，半峰宽分别为0.525、0.423、0.469、0.446、0.307；峰高分别为1390、91、95、234、114；衍射强度分别为100％、6.5％、6.8％、16.8％、8.2％；所述X-射线衍射谱的测试条件为：CuKα1，λ＝1.54056，0.02°/step/1s。制备方法包括下列步骤：a)放入酞菁锌原料至炉中的加热区域；b)通入载气并始终保持恒定的流量，加热酞菁锌原料至450-490℃，使酞菁锌升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁锌离开该加热区域至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到ι-酞菁锌纳米线。

公开(公告)号：CN104610269A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510033840.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 昆明学院

Inventor： 王晓燕 ,  王海 ,  杨海 ,  鞠海东 ,  纪小林 ,  邹涛隅 ,  杨镒吉 ,  乔振芳

IPC: C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种ω-酞菁镍纳米线，所述ω-酞菁镍纳米线的X-射线衍射谱在下列的2θ处具有特征峰：6.621°、7.261°、15.760°、24.823°和26.222°；而相应的半峰宽分别为：0.663、0.513、0.433、0.258、0.401；峰高分别为：708、722、137、112、153；衍射强度分别为：100％、79％、12.7％、6.2％、13.1％；所述X-射线衍射谱的测试条件为：CuKα1，λ＝1.54056，0.02°/step/1s。制备方法包括下列步骤：a)放入酞菁镍原料至炉中的加热区域；b)在载气氛围下，加热酞菁镍原料至410-500℃，使酞菁镍升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁镍离开该加热区域，至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到ω-酞菁镍纳米线。

公开(公告)号：CN104073779A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410279763.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 昆明学院

Inventor： 王海 ,  罗金龙 ,  纪小林 ,  邹涛隅

IPC: C23C16/448 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料领域，提供了一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法，包括：石英管，管式炉，以及气流控制设备，其中，所述管式炉包括炉腔，以及包裹在炉外壁的隔热材料层；所述石英管包括加热区和生长区，加热区位于所述管式炉内部，所述生长区位于管式炉加热区之外；所述石英管包括进气端，出气端，以及小孔通道区和引流通道区，载气引导所述石英管内高温升华的原料气体分子流动到所述石英管的生长区。本发明使得纳米材料的生长过程具有更强的调控作用，提高了纳米材料的制备效率，制备装置成本低廉，操作简单，无污染。

公开(公告)号：CN104610269B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201510033840.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 昆明学院

Inventor： 王晓燕 ,  王海 ,  杨海 ,  鞠海东 ,  纪小林 ,  邹涛隅 ,  杨镒吉 ,  乔振芳

IPC: C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种ω‑酞菁镍纳米线，所述ω‑酞菁镍纳米线的X‑射线衍射谱在下列的2θ处具有特征峰：6.621°、7.261°、15.760°、24.823°和26.222°；而相应的半峰宽分别为：0.663、0.513、0.433、0.258、0.401；峰高分别为：708、722、137、112、153；衍射强度分别为：100％、79％、12.7％、6.2％、13.1％；所述X‑射线衍射谱的测试条件为：CuKα1，λ＝1.54056，0.02°/step/1s。制备方法包括下列步骤：a)放入酞菁镍原料至炉中的加热区域；b)在载气氛围下，加热酞菁镍原料至410‑500℃，使酞菁镍升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁镍离开该加热区域，至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到ω‑酞菁镍纳米线。

公开(公告)号：CN104086555B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410279515.X

申请日：2014-06-20

Applicant: 昆明学院

Inventor： 王海 ,  纪小林 ,  罗金龙 ,  邹涛隅

IPC: C07D487/22 ,  C30B29/54 ,  C30B29/62 ,  C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07D487/22 ,  C30B25/00 ,  C30B29/54 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明涉及一种新晶体结构酞菁钴纳米线及其制备方法领域。提供了一种酞菁钴纳米线，具有J?酞菁钴结构，直径为150nm以下。还提供了一种制备所述的酞菁钴纳米线的方法，包括下列步骤：a)引入酞菁钴源料至管式炉中的加热区域；b)在载气存在下，加热该酞菁钴源料至最高600℃；c)通过该载气，引导该升华的酞菁钴离开该加热区域，至生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁钴纳米线。本发明提出利用气相沉积法，生长得到的纳米量级的酞菁钴晶体，提升和改善了酞菁钴的物理和化学性质，如光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于染料、光电导材料、液晶、电致变色、催化、太阳能电池等领域。

公开(公告)号：CN104086555A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410279515.X

申请日：2014-06-20

Applicant: 昆明学院

Inventor： 王海 ,  纪小林 ,  罗金龙 ,  邹涛隅

IPC: C07D487/22 ,  C30B29/54 ,  C30B29/62 ,  C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07D487/22 ,  C30B25/00 ,  C30B29/54 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明涉及一种新晶体结构酞菁钴纳米线及其制备方法领域。提供了一种酞菁钴纳米线，具有J-酞菁钴结构，直径为150nm以下。还提供了一种制备所述的酞菁钴纳米线的方法，包括下列步骤：a)引入酞菁钴源料至管式炉中的加热区域；b)在载气存在下，加热该酞菁钴源料至最高600℃；c)通过该载气，引导该升华的酞菁钴离开该加热区域，至生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁钴纳米线。本发明提出利用气相沉积法，生长得到的纳米量级的酞菁钴晶体，提升和改善了酞菁钴的物理和化学性质，如光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于染料、光电导材料、液晶、电致变色、催化、太阳能电池等领域。