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公开(公告)号：CN103002624B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110269615.0
申请日：2011-09-13
申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 , 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本发明提供一种有源有机发光二极管照明装置，其由外部控制电源供电。该有源有机发光二极管照明装置包括至少一个靠近外部控制电源的发光像素单元和至少一个远离外部控制电源的发光像素单元。每个发光像素单元包括一个有机发光二极管、和一个或多个TFT。在每个发光像素单元中，TFT的栅极、漏极都连接到外部控制电源，TFT的源极连接到发光像素单元中的有机发光二极管的阳极，有机发光二极管的阴极接地，其中，靠近外部控制电源的发光像素单元中的TFT沟道宽长比小于远离外部控制电源的发光像素单元的TFT沟道宽长比，以减轻远离外部控制电源对TFT供流能力变弱所带来的影响。本发明的照明装置，电路简单，开口率高，产品可靠性好。
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公开(公告)号：CN103002624A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110269615.0
申请日：2011-09-13
申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 , 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本发明提供一种有源有机发光二极管照明装置，其由外部控制电源供电。该有源有机发光二极管照明装置包括至少一个靠近外部控制电源的发光像素单元和至少一个远离外部控制电源的发光像素单元。每个发光像素单元包括一个有机发光二极管、和一个或多个TFT。在每个发光像素单元中，TFT的栅极、漏极都连接到外部控制电源，TFT的源极连接到发光像素单元中的有机发光二极管的阳极，有机发光二极管的阴极接地，其中，靠近外部控制电源的发光像素单元中的TFT沟道宽长比小于远离外部控制电源的发光像素单元的TFT沟道宽长比，以减轻远离外部控制电源对TFT供流能力变弱所带来的影响。本发明的照明装置，电路简单，开口率高，产品可靠性好。
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公开(公告)号：CN101924121B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010177744.2
申请日：2010-05-20
申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种微晶硅和多晶硅共用的显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过制作微晶硅层和局域激光结晶化的方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的多晶硅开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的微晶硅驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
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公开(公告)号：CN101924121A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010177744.2
申请日：2010-05-20
申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种微晶硅和多晶硅共用的显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过制作微晶硅层和局域激光结晶化的方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的多晶硅开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的微晶硅驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
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公开(公告)号：CN101924070A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010177738.7
申请日：2010-05-20
申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过采用固相结晶化和局域激光结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
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公开(公告)号：CN101924071B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010177755.0
申请日：2010-05-20
申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案采用先通过金属诱导结晶化或金属横向诱导结晶化，再固相结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
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公开(公告)号：CN101924071A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010177755.0
申请日：2010-05-20
申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案采用先通过金属诱导结晶化或金属横向诱导结晶化，再固相结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
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![一种6，6‑双取代‑6‑H‑苯并[cd]芘衍生物、中间体及制备方法和应用](/CN/2013/1/50/images/201310250838.jpg)
公开(公告)号：CN103508940B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310250838.1
申请日：2013-06-21
申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC分类号： C07D213/06 , C07D215/04 , C07D217/02 , C07D235/18 , C07D277/66 , C07D271/107 , C07C25/22 , C07C17/093 , C07C17/16 , H01L51/54
摘要： 本发明涉及一类如式（1）所示的化合物，其中：当R5、R6同时为H时，R7、R8分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物；或者，当R7、R8同时为H时，R5、R6分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的电子传输材料、荧光或者红色磷光主体材料。
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公开(公告)号：CN103665048B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210536230.0
申请日：2012-12-12
申请人： 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种新型的金属配合物及其在有机发光器件中的应用，该用作近红外发光的金属铱配合物结构通式为LnIrX(3-n)，其中X选自乙酰丙酮、二苯甲酰基甲烷、二叔戊酰甲烷或吡啶甲酸，n选自1、2或3，L选自以下结构式L1、L2或L3，其中R1—R9分别独立地选自氢原子、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为1-10的烷基氨基、咔唑基、氟原子、三氟甲基和碳原子数为5-18的芳香基团；Ar表示碳原子数为5-18的芳基、碳原子数为5-18的杂环芳基。本发明的金属配合物具有发光寿命短，发光效率高的优点，使用该发光材料制备的有机发光器件，具有大电流密度下高发光效率的特性。结构式L1、结构式L2、结构式L3。
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公开(公告)号：CN102456850B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110293711.9
申请日：2011-09-29
申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
摘要： 本发明提供一种OLED分划板的制作方法，其包括如下步骤：在基板上蒸镀OLED的阳极层，将阳极层形成为瞄准标记的形状；在所述OLED的阳极层上依次蒸镀有机功能层、发光层和阴极层。本发明还提供一种OLED分划板，其包括OLED，所述OLED包括基板和依次层叠在基板上的阳极层、有机功能层、发光层和阴极层，所述OLED的阳极层具有瞄准标记的形状。另外，本发明还提供一种使用本发明的OLED分划板的反射式瞄准镜。利用本发明，可以使反射式瞄准镜中分划板和照明光学系统所占的空间大大减少。
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