公开(公告)号：CN101924071B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010177755.0

申请日：2010-05-20

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学

发明人： 黄秀颀 ,  邱勇 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案采用先通过金属诱导结晶化或金属横向诱导结晶化，再固相结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。

公开(公告)号：CN101924071A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010177755.0

申请日：2010-05-20

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学

发明人： 黄秀颀 ,  邱勇 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案采用先通过金属诱导结晶化或金属横向诱导结晶化，再固相结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。

公开(公告)号：CN101924070A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010177738.7

申请日：2010-05-20

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学

发明人： 黄秀颀 ,  邱勇 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过采用固相结晶化和局域激光结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。

公开(公告)号：CN101924121B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201010177744.2

申请日：2010-05-20

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学

发明人： 黄秀颀 ,  邱勇 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种微晶硅和多晶硅共用的显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过制作微晶硅层和局域激光结晶化的方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的多晶硅开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的微晶硅驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。

公开(公告)号：CN101924121A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010177744.2

申请日：2010-05-20

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学

发明人： 黄秀颀 ,  邱勇 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种微晶硅和多晶硅共用的显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过制作微晶硅层和局域激光结晶化的方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的多晶硅开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的微晶硅驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。

公开(公告)号：CN102800281A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210288414.X

申请日：2012-08-14

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

发明人： 罗红磊 ,  邱勇 ,  黄秀颀 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： G09G3/32

摘要： 本发明公开了一种AMOLED面板功耗优化的驱动方法和装置，其中该方法包括以下步骤：对像素存储电容及面板上的杂散电容施加偏置电流进行充电；在一帧画面扫描时间内，根据像素存储电容的电位对TFT像素单元施加亮度控制信号；其中，在一帧画面扫描时间内，根据栅极扫描器输出的扫描脉冲的序列号顺序产生多个触发信号触发数据驱动器以调整偏置电流的档位。

公开(公告)号：CN102034746A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010534441.1

申请日：2010-11-08

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

发明人： 黄秀颀 ,  邱勇 ,  魏朝刚 ,  陈红

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/32

摘要： 本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法。本发明技术方案先对非晶硅层进行固相结晶后再采用点阵激光源对开关区域进行照射，以提高开关薄膜晶体管的载流子迁移率，从而满足有源矩阵有机发光显示器对驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的特性的不同需求，同时节省激光源的消耗，提高产能，且不受阵列基板尺寸的限制。

公开(公告)号：CN101921064A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010177724.5

申请日：2010-05-20

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

发明人： 王磊 ,  邱勇 ,  黄秀颀 ,  高孝裕 ,  魏朝刚

IPC分类号： C03C17/00

摘要： 本发明涉及一种用于制造平板显示器的夹具，特别涉及一种镀膜机台用的夹具。本发明所述的夹具，包括夹头、固定基座和夹颈，夹头下方还有一夹舌，夹头前端上方具有一翘起部。本发明技术方案减少了镀膜沉积瘤对玻璃基板的接触挤压，避免了玻璃基板缺角与破片的风险。

公开(公告)号：CN102364568B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110175130.5

申请日：2011-06-27

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

发明人： 魏朝刚 ,  邱勇 ,  高孝裕 ,  陈红 ,  黄秀颀

IPC分类号： G09G3/32 ,  H01L27/32

摘要： 本发明公开了一种AMOLED的像素单元电路及有机发光显示装置，该像素单元电路包括由电源线VDD、第一开关晶体SW_0、可编程电阻Rr和有机发光二极管Rd构成的像素读出电路；由数据线Data、第二开关晶体管SW_1、可编程电阻Rr和第三开关晶体管SW_2构成的像素写入电路；该第一开关晶体SW_0的栅极和第二行扫描线Gate相连；该第二开关晶体管SW_1、第三开关晶体管SW_2的栅极和第一行扫描线Gate相连，该第一行扫描线Gate和第二行扫描线Row_Gate上的信号相反。本发明提供的像素单元电路，利用可编程电阻Rr代替驱动晶体管，并省去存储电容和阈值电压补偿电路，提高像素开口率和显示质量。

公开(公告)号：CN102403207A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110328744.2

申请日：2011-10-26

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司

发明人： 森本佳宏 ,  邱勇 ,  黄秀颀 ,  陈红 ,  魏朝刚

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其包括下列步骤：1.提供一基板，在该基板上形成一非晶硅薄膜；2.提供一准分子激光发生器，其能发射出脉冲激光束，该脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，使得该照射区域处于熔融状态；3.基板平移一扫描间距，准分子激光器再次射出一脉冲激光束，该扫描间距在平均扫描间距的0.8～1.2倍范围内变化，且前后两次的扫描间距差值在平均扫描间距的0.1倍范围内；4.重复步骤3，直到完成整个基板的激光照射。扫描间距在平均扫描间距的0.8～1.2倍范围内变化，且前后差值在平均值的0.1倍范围内，这样既抑制了容易在准分子激光退火工艺中的产生的显示不匀，又不会导致薄膜晶体管特性的差异过大，从而提升了显示质量。