公开(公告)号：CN112746243A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011083536.6

申请日：2020-10-12

Applicant: 日立造船株式会社

Inventor： 清水祐辅 ,  藤本英志 ,  松本祐司

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种真空蒸镀装置的控制方法。真空蒸镀装置(1)的控制方法包括：打开量调整工序，对调整蒸镀材料的释放量的第一调整阀(21)和第二调整阀(31)的打开量进行调整；以及压力检测工序，取得蒸镀材料的释放压力的检测值，在打开量调整工序中，在第一调整阀(21)和第二调整阀(31)的双方打开的情况下，使用膜厚检测器对膜厚的检测值来调整打开量，在仅任意一方打开的情况下，使用释放压力的检测值来调整打开量。

公开(公告)号：CN203999792U

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201420405903.3

申请日：2014-07-22

Applicant: 日立造船株式会社

Inventor： 清水祐辅 ,  山成淳一

IPC: C23C14/30

Abstract: 本实用新型提供电子束蒸镀装置，能抑制因电子束蒸镀产生的二次电子和反射电子入射到基板及进行电子屏蔽的磁体本身成为屏蔽物而妨碍蒸镀这两者。使蒸镀材料的收容容器(坩埚(2))位于进行蒸镀的基板(1)的下方，在比收容容器的中心靠向基板(1)中心方向的上方空间，夹着收容容器的中心且隔开规定的间隔，将一对磁体(4(4A、4B))各自的基板中心侧端部配置成比另一个端部向下方倾斜。在与电子束蒸镀的同时向先形成在基板上的有机薄膜上照射电子束蒸镀时产生的反射电子和二次电子的情况下，能抑制有机器件的特性下降，能得到与用电阻加热式金属蒸镀制作的有机器件同等的特性。此外，所述机构本身不会成为蒸镀的屏蔽物，能在基板整个区域进行蒸镀。