公开(公告)号：CN101944560B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010167872.9

申请日：2010-04-26

申请人： 日立电线株式会社

发明人： 森泽利浩 ,  谷毅彦 ,  永井久隆 ,  古屋贵士

IPC分类号： H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/56 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/007 ,  H01L33/46

摘要： 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。

公开(公告)号：CN101944560A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010167872.9

申请日：2010-04-26

申请人： 日立电线株式会社

发明人： 森泽利浩 ,  谷毅彦 ,  永井久隆 ,  古屋贵士

IPC分类号： H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/56 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/007 ,  H01L33/46

摘要： 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。