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1.

发明授权
盒体、半导体装置、盒体的制造方法有权

公开(公告)号：CN108886029B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201780021592.7

申请日：2017-03-10

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 藤野伸一 , 久保木誉 , 川井胜

IPC: H01L23/34 , H05K7/20

Abstract: 本发明能够提高插入至盒体的半导体电路的散热性。本发明为一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体具备：散热部，其在内侧具有与半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕接触面，而且形成得比散热部薄；以及下凹部，其形成于薄壁部与散热部之间，而且相对于接触面而言下凹，并且，下凹部的内侧的面在盒体的厚度方向上配置在接触面与薄壁部的内侧的面之间。

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