公开(公告)号：CN108886029B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201780021592.7

申请日：2017-03-10

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 藤野伸一 ,  久保木誉 ,  川井胜

IPC: H01L23/34 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明能够提高插入至盒体的半导体电路的散热性。本发明为一种盒体，其内部供半导体电路插入，该盒体具备：散热部，其在内侧具有与半导体电路接触的接触面；薄壁部，其形成为围绕接触面，而且形成得比散热部薄；以及下凹部，其形成于薄壁部与散热部之间，而且相对于接触面而言下凹，并且，下凹部的内侧的面在盒体的厚度方向上配置在接触面与薄壁部的内侧的面之间。

公开(公告)号：CN111052584B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201880054762.6

申请日：2018-07-09

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 久保木誉 ,  河原敬二 ,  金野雄志

IPC: H02M7/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明的课题在于抑制功率半导体装置的散热性能的降低并提高生产率。本发明的功率半导体装置的制造方法涉及的功率半导体装置具备：导电构件，其具有第1表面以及设置在该第1表面的相反侧的第2表面；以及功率半导体元件，其经由接合材料与所述导电构件连接，该功率半导体装置的制造方法包括：第1工序，以如下方式冲压该导体构件：按压所述第1表面的一部分并保留与该第1表面齐平的部分而形成凹部，在所述第2表面形成凸部；第2工序，将所述功率半导体元件配置在所述凸部的顶面，且配置成与所述第1表面的所述凹部以及未形成该凹部的部分相对，并经由所述接合材料连接该凸部与所述功率半导体元件；以及第3工序，所述至少在所述凹部中填充密封材料。