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公开(公告)号：CN110397735B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910734171.X
申请日：2015-08-10
Applicant: 日本ITF株式会社 , 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种活塞环及其制造方法，使用并不具有特别的功能的通常的成膜装置且无需精密的控制地制造并提供低摩擦性与耐磨耗性优异的活塞环。所述活塞环，其为在环状基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞环，并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜，且自基材表面朝向膜表面交替形成有sp2键相对于sp3键的比率sp2/sp3比连续增加的增加区域以及sp2/sp3比连续减少的减少区域，并且在增加区域与减少区域的边界中sp2/sp3比连续地发生变化，由此以交替层叠的方式形成sp2/sp3比低的软质膜与sp2/sp3比高的硬质膜，且减少区域构成为与增加区域相比为相同数量或少1个区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107923533B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580082326.6
申请日：2015-08-10
Applicant: 日本ITF株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: F16J9/26
Abstract: 本发明提供一种活塞环及其制造方法，使用并不具有特别的功能的通常的成膜装置且无需精密的控制地制造并提供低摩擦性与耐磨耗性优异的活塞环。所述活塞环，其为在环状基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞环，并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜，且自基材表面朝向膜表面交替形成有sp2键相对于sp3键的比率sp2/sp3比连续增加的增加区域以及sp2/sp3比连续减少的减少区域，并且在增加区域与减少区域的边界中sp2/sp3比连续地发生变化，由此以交替层叠的方式形成sp2/sp3比低的软质膜与sp2/sp3比高的硬质膜，且减少区域构成为与增加区域相比为相同数量或少1个区域。
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公开(公告)号：CN107923532A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082324.7
申请日：2015-08-10
Applicant: 日本ITF株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: F16J9/26
Abstract: 提供一种在外周滑动面与上下面上生产性良好地形成有以与各面的要求性能相适应的方式得到最优化的膜质的碳膜的活塞环，并且提供一种使用此种活塞环的高性能的发动机。一种活塞环，其为在外周滑动面及上下面上形成有碳膜的活塞环，且碳膜为层叠膜质不同的至少两种碳膜层而成的碳膜，且两种碳膜层的层厚比在外周滑动面与上下面中不同。一种活塞环，其中碳膜是通过层叠形成于活塞环本体侧的第1碳膜层以及形成于表面侧的第2碳膜层而形成，且上下面中的第2碳膜层的层厚比外周滑动面中的第2碳膜层的层厚薄，并且第2碳膜层的层厚相对于第1碳膜层的层厚的比率是外周滑动面中大于上下面中。
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公开(公告)号：CN107923532B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580082324.7
申请日：2015-08-10
Applicant: 日本ITF株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: F16J9/26
Abstract: 提供一种在外周滑动面与上下面上生产性良好地形成有以与各面的要求性能相适应的方式得到最优化的膜质的碳膜的活塞环，并且提供一种使用此种活塞环的高性能的发动机。一种活塞环，其为在外周滑动面及上下面上形成有碳膜的活塞环，且碳膜为层叠膜质不同的至少两种碳膜层而成的碳膜，且两种碳膜层的层厚比在外周滑动面与上下面中不同。一种活塞环，其中碳膜是通过层叠形成于活塞环本体侧的第1碳膜层以及形成于表面侧的第2碳膜层而形成，且上下面中的第2碳膜层的层厚比外周滑动面中的第2碳膜层的层厚薄，并且第2碳膜层的层厚相对于第1碳膜层的层厚的比率是外周滑动面中大于上下面中。
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公开(公告)号：CN110397735A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910734171.X
申请日：2015-08-10
Applicant: 日本ITF株式会社 , 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种活塞环及其制造方法，使用并不具有特别的功能的通常的成膜装置且无需精密的控制地制造并提供低摩擦性与耐磨耗性优异的活塞环。所述活塞环，其为在环状基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞环，并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜，且自基材表面朝向膜表面交替形成有sp2键相对于sp3键的比率sp2/sp3比连续增加的增加区域以及sp2/sp3比连续减少的减少区域，并且在增加区域与减少区域的边界中sp2/sp3比连续地发生变化，由此以交替层叠的方式形成sp2/sp3比低的软质膜与sp2/sp3比高的硬质膜，且减少区域构成为与增加区域相比为相同数量或少1个区域。
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公开(公告)号：CN107923533A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082326.6
申请日：2015-08-10
Applicant: 日本ITF株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: F16J9/26
Abstract: 使用并不具有特别的功能的通常的成膜装置且无需精密的控制地制造并提供低摩擦性与耐磨耗性优异的活塞环。一种活塞环，其为在环状基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞环，并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜，且自基材表面朝向膜表面交替形成有sp2键相对于sp3键的比率sp2/sp3比连续增加的增加区域以及sp2/sp3比连续减少的减少区域，并且在增加区域与减少区域的边界中sp2/sp3比连续地发生变化，由此以交替层叠的方式形成sp2/sp3比低的软质膜与sp2/sp3比高的硬质膜，且减少区域构成为与增加区域相比为相同数量或少1个区域。
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