公开(公告)号：CN106661715B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201580040273.1

申请日：2015-07-16

Applicant: 日本ITF株式会社

Inventor： 加藤健治 ,  高桥正人 ,  西村和也 ,  石塚浩 ,  森口秀树

IPC: C23C14/06 ,  C01B32/05 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供一种碳薄膜、制造其的等离子体装置及制造方法，可抑制阴极物质破裂。等离子体装置包括真空容器、电弧式蒸发源、阴极构件、永久磁铁、电源、触发电极及挡板。电弧式蒸发源在真空容器的侧壁上与基板相对向而固定。阴极构件包含具有突起部的玻璃状碳，安装于电弧式蒸发源上。突起部具有大于0.785mm2的剖面积。永久磁铁对阴极构件施加磁场。电源对电弧式蒸发源施加负的电压。触发电极与阴极构件的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源施加负的电压，使触发电极与阴极构件的突起部接触而产生电弧放电，打开挡板而在基板上形成碳薄膜。

公开(公告)号：CN106661715A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580040273.1

申请日：2015-07-16

Applicant: 日本ITF株式会社

Inventor： 加藤健治 ,  高桥正人 ,  西村和也 ,  石塚浩 ,  森口秀树

IPC: C23C14/06 ,  C01B32/05 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供一种可抑制阴极物质破裂的等离子体装置。等离子体装置10包括真空容器1、电弧式蒸发源3、阴极构件4、永久磁铁5、电源7、触发电极8及挡板12。电弧式蒸发源3在真空容器1的侧壁上与基板20相对向而固定。阴极构件4包含具有突起部的玻璃状碳，安装于电弧式蒸发源3上。突起部具有大于0.785mm2的剖面积。永久磁铁5对阴极构件4施加磁场。电源7对电弧式蒸发源3施加负的电压。触发电极8与阴极构件4的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源3施加负的电压，使触发电极8与阴极构件4的突起部接触而产生电弧放电，打开挡板12而在基板20上形成碳薄膜。