公开(公告)号：CN106661715A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580040273.1

申请日：2015-07-16

Applicant: 日本ITF株式会社

Inventor： 加藤健治 ,  高桥正人 ,  西村和也 ,  石塚浩 ,  森口秀树

IPC: C23C14/06 ,  C01B32/05 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供一种可抑制阴极物质破裂的等离子体装置。等离子体装置10包括真空容器1、电弧式蒸发源3、阴极构件4、永久磁铁5、电源7、触发电极8及挡板12。电弧式蒸发源3在真空容器1的侧壁上与基板20相对向而固定。阴极构件4包含具有突起部的玻璃状碳，安装于电弧式蒸发源3上。突起部具有大于0.785mm2的剖面积。永久磁铁5对阴极构件4施加磁场。电源7对电弧式蒸发源3施加负的电压。触发电极8与阴极构件4的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源3施加负的电压，使触发电极8与阴极构件4的突起部接触而产生电弧放电，打开挡板12而在基板20上形成碳薄膜。

公开(公告)号：CN106661715B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201580040273.1

申请日：2015-07-16

Applicant: 日本ITF株式会社

Inventor： 加藤健治 ,  高桥正人 ,  西村和也 ,  石塚浩 ,  森口秀树

IPC: C23C14/06 ,  C01B32/05 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供一种碳薄膜、制造其的等离子体装置及制造方法，可抑制阴极物质破裂。等离子体装置包括真空容器、电弧式蒸发源、阴极构件、永久磁铁、电源、触发电极及挡板。电弧式蒸发源在真空容器的侧壁上与基板相对向而固定。阴极构件包含具有突起部的玻璃状碳，安装于电弧式蒸发源上。突起部具有大于0.785mm2的剖面积。永久磁铁对阴极构件施加磁场。电源对电弧式蒸发源施加负的电压。触发电极与阴极构件的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源施加负的电压，使触发电极与阴极构件的突起部接触而产生电弧放电，打开挡板而在基板上形成碳薄膜。

公开(公告)号：CN104451559A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410386906.1

申请日：2014-08-07

Applicant: 日本ITF株式会社

Inventor： 高桥正人 ,  加藤健治 ,  冈崎尚登

IPC: C23C14/32

CPC classification number: C23C14/325

Abstract: 本发明提供一种真空电弧蒸镀法及真空电弧蒸镀装置、用真空电弧蒸镀法制造的薄膜、物品及产品，即便在使用了大口径阴极的情况下，也能使阴极表面的阴极材料均匀地消耗而提升阴极利用效率，从而能够降低涂布成本。本发明的真空电弧蒸镀法利用电弧放电使阴极材料蒸发而在基材上进行成膜，通过在多个部位配置用来对阴极导入电流的电流导入端子，并对阴极材料流通放电电流，而进行电弧放电，从而在基材上形成蒸镀膜。本发明的真空电弧蒸镀装置利用电弧放电使阴极材料蒸发而在基材上进行成膜，且构成为：通过在多个部位配置用来对阴极导入电流的电流导入端子，并对阴极材料流通放电电流，而进行电弧放电，从而在基材上形成蒸镀膜。