公开(公告)号：CN101819991B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010121239.6

申请日：2007-02-13

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

公开(公告)号：CN101819938A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010121255.5

申请日：2007-02-13

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩

IPC: H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括形成氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

公开(公告)号：CN101326644B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200780000580.2

申请日：2007-02-02

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 古田守 ,  平尾孝 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩 ,  石井裕满 ,  保刈一志 ,  吉田基彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。

公开(公告)号：CN101819991A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010121239.6

申请日：2007-02-13

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

公开(公告)号：CN101310371A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200780000102.1

申请日：2007-02-13

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩

IPC: H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

公开(公告)号：CN101819938B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201010121255.5

申请日：2007-02-13

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩

IPC: H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括形成氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

公开(公告)号：CN101356652B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780001230.8

申请日：2007-05-28

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  平松孝浩 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种半导体器件，包括由氧化锌构成的所述氧化物半导体薄膜层(3)。至少一部分所述氧化物半导体薄膜层的(002)晶格面沿垂直于所述半导体器件的衬底(1)的方向具有择优取向，并且该(002)晶格面具有至少为的晶格间距d002。

公开(公告)号：CN101310371B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200780000102.1

申请日：2007-02-13

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩

IPC: H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

公开(公告)号：CN101356652A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200780001230.8

申请日：2007-05-28

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  平松孝浩 ,  古田守 ,  古田宽 ,  松田时宜

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种半导体器件，包括由氧化锌构成的所述氧化物半导体薄膜层(3)。至少一部分所述氧化物半导体薄膜层的(002)晶格面沿垂直于所述半导体器件的衬底(1)的方向具有择优取向，并且该(002)晶格面具有至少为2.619的晶格间距d002。

公开(公告)号：CN101326644A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200780000580.2

申请日：2007-02-02

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 古田守 ,  平尾孝 ,  古田宽 ,  松田时宜 ,  平松孝浩 ,  石井裕满 ,  保刈一志 ,  吉田基彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。