公开(公告)号：CN100370583C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200510131682.0

申请日：2005-12-15

Applicant: 日本网目版制造株式会社

Inventor： 永见宗三

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  B08B11/04

CPC classification number: B08B3/08 ,  B08B3/048 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67057

Abstract: 一种混合器，通过将氯化物混入由热水单元加热的去离子热水中来制备处理溶液。将制得的处理溶液通过处理溶液管和共用管供给处理槽。在该处理槽中，由升高器固定的基板被浸入处理溶液。随后，升高器升高，从处理溶液中拉出基板。由于附着在基板上的液滴是酸，抑制了基板的氧化反应。即，当基板干燥时，氧化物不会沉积在基板上，从而防止形成水印。

公开(公告)号：CN1805126A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510137082.5

申请日：2005-12-23

Applicant: 日本网目版制造株式会社

Inventor： 佐野谦一 ,  永见宗三 ,  光吉一郎 ,  酒井泷吉

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  B08B3/00

Abstract: 基片处理设备包括用于接纳各自存放多张基片的整体容器的存放区、用于整体地处理多张基片的第一处理区、用于一次处理一张基片的第二处理区、以及用于在整体容器、第一处理区和第二处理区之间输送诸基片的输送装置。可以按整体地处理多张基片的方式和/或一次处理一张基片的方式处理基片。

公开(公告)号：CN100452340C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510137082.5

申请日：2005-12-23

Applicant: 日本网目版制造株式会社

Inventor： 佐野谦一 ,  永见宗三 ,  光吉一郎 ,  酒井泷吉

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  B08B3/00

Abstract: 基片处理设备包括用于接纳各自存放多张基片的整体容器的存放区、用于整体地处理多张基片的第一处理区、用于一次处理一张基片的第二处理区、以及用于在整体容器、第一处理区和第二处理区之间输送诸基片的输送装置。可以按整体地处理多张基片的方式和/或一次处理一张基片的方式处理基片。

公开(公告)号：CN1805118A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510131682.0

申请日：2005-12-15

Applicant: 日本网目版制造株式会社

Inventor： 永见宗三

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  B08B11/04

CPC classification number: B08B3/08 ,  B08B3/048 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67057

Abstract: 一种混合器，通过将氯化物混入由热水单元加热的去离子热水中来制备处理溶液。将制得的处理溶液通过处理溶液管和共用管供给处理槽。在该处理槽中，由升高器固定的基板被浸入处理溶液。随后，升高器升高，从处理溶液中拉出基板。由于附着在基板上的液滴是酸，抑制了基板的氧化反应。即，当基板干燥时，氧化物不会沉积在基板上，从而防止形成水印。