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公开(公告)号：CN1214534A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN98120147.4
申请日：1998-10-09
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28518
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法,在一个硅区上形成一第一难熔金属薄膜。在其上形成第二难熔金属薄膜。第二难熔金属薄膜含有与第一难熔金属薄膜相同的难熔金属以及氮元素。第一和第二难熔金属薄膜在不含氮的保护气中被热处理,从而在硅区与第一难熔金属薄膜之间的界面上发生硅化反应而形成一个难熔金属硅化物层。对第二难熔金属薄膜的应力值进行设置,使其在硅化反应期间难熔金属硅化物层所发生的塑性变形不影响。
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