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公开(公告)号：CN1219771A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98123315.5
申请日：1998-12-08
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11543 , H01L27/11546
Abstract: 一种半导体器件,可以减少外围电路中MOSFET源/漏区的薄层电阻,而不会降低非易失性半导体存储单元的数据写速度。该器件包括在同一衬底上形成的非易失性存储单元和外围电路。非易失性存储单元由具有第一导电类型的第一组MOSFET形成,外围电路包括第一导电类型的第二组MOSFET,第一组MOSFET中的每一个都设有一个栅电极,其具有用于数据储存的浮置栅和基本没有硅化物膜的源/漏区。
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