公开(公告)号：CN104521001A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380038546.X

申请日：2013-04-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 桐原明宏 ,  石田真彦 ,  河本滋

IPC: H01L29/82 ,  H01L37/00

CPC classification number: H01L37/00 ,  H01L35/00 ,  H01L35/04 ,  H01L35/34 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14

Abstract: 一种热电转换元件，包括具有柔性的热电转换片。热电转换片包括：磁性层；起电层，该起电层形成在磁性层上以与磁性层接触，并且该起电层由呈现自旋轨道耦合的材料形成；以及第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极形成在起电层上以与起电层接触。第一电极和第二电极在热电转换片的纵向方向上延伸，且在垂直于纵向方向的第一方向上彼此分开。

公开(公告)号：CN101218663A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024961.X

申请日：2006-07-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 佐佐木达也 ,  芝和宏 ,  河本滋 ,  角野雅芳

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 包含Ti作为组成元素的第一层，包含Nb作为组成元素的第二层和包含Au作为组成元素的第三层被形成在GaN衬底11上。此后，GaN衬底11和所述第一至第三层被保持在700℃或更高以及1300℃或更低处。这允许Ti的金属氧化物从GaN衬底11和电极14之间的分界面延伸到整个电极14的内部。进一步，在GaN衬底11的内部中形成Nb的金属氮化物。Nb的金属氮化物将被分布为从电极14的内部延伸到整个GaN衬底11的内部。