公开(公告)号：CN101218663A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024961.X

申请日：2006-07-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 佐佐木达也 ,  芝和宏 ,  河本滋 ,  角野雅芳

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 包含Ti作为组成元素的第一层，包含Nb作为组成元素的第二层和包含Au作为组成元素的第三层被形成在GaN衬底11上。此后，GaN衬底11和所述第一至第三层被保持在700℃或更高以及1300℃或更低处。这允许Ti的金属氧化物从GaN衬底11和电极14之间的分界面延伸到整个电极14的内部。进一步，在GaN衬底11的内部中形成Nb的金属氮化物。Nb的金属氮化物将被分布为从电极14的内部延伸到整个GaN衬底11的内部。