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公开(公告)号：CN102792772B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080065318.8
申请日：2010-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L33/04 , H01L33/58 , H01L2933/0016
Abstract: 装有光源层（4）和光从光源层（4）所入射到的方向控制层（5）。光源层（4）具有布置在衬底（10）上的一对空穴传输层（11）和电子传输层（13）。方向控制层（5）包括：等离子体激发层（15），堆叠到光源层（4）的非衬底（10）侧并具有比从光源层（4）发射的光的频率更高的等离子体频率；波数矢量转换层（17），把由等离子体激发层（15）产生的表面等离子体转换到预定出射角并发射。等离子体激发层（15）被夹在具有介电特性的两个层之间。入射侧部分的有效介电常数大于出射侧部分的有效介电常数，入射侧部分包括堆叠在等离子体激发层（15）的光源层（4）侧的整个结构，出射侧部分包括堆叠在等离子体激发层（15）的波数矢量转换层（17）上的整个结构及与波数矢量转换层（17）接触的介质。
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公开(公告)号：CN102549328A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043918.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 枣田昌尚
IPC: F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/005 , G02B6/0053 , G02B6/0068
Abstract: 公开了一种光学元件，该光学元件包括：光引导体，出自发光元件的光入射到该光引导体上；载流子产生层(6)，该载流子产生层形成在光引导体中，在光引导体中载流子由出自光引导体的光产生；等离子体激元激发层(8)，该等离子体激元激发层堆叠在载流子产生层(6)上，该等离子体激元激发层具有比当载流子产生层(6)由出自发光元件的光激发时所产生的光的频率高的等离子体频率；以及波矢量转换层(10)，该波矢量转换层堆叠在等离子体激元激发层(8)上，该波矢量转换层将从等离子体激元激发层入射的光转换成具有预定出射角的光以输出该光。等离子体激元激发层(8)夹在低介电常数层(7)和高介电常数层(9)之间。
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公开(公告)号：CN103081134B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180039116.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L33/02 , F21S2/00 , G03B21/14 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/46 , G02B5/008 , G02B27/286 , G03B21/2033 , G03B21/2073 , H04N9/31 , H04N9/3167
Abstract: 提供了一种能够解决当随机偏振光被转换为特定偏振时光学扩展量增加的问题的光源。用作表面等离激元激发装置的凹凸结构形成在金属层(15)和第一覆盖层(14)之间的界面处，表面等离激元激发装置用于通过从发射层(13)入射在界面上的光中在垂直于第一方向的偏振方向上的特定偏振分量来激发表面等离激元。凹凸结构在第二方向上是周期的。凹凸结构的凸起(21A)沿第一方向延伸。光产生装置形成在金属层(15)与第二覆盖层(16)之间的界面处，用来根据通过表面等离激元激发装置由特定偏振分量激发的表面等离激元，从在金属层(15)和第一覆盖层(14)之间的界面处产生的表面等离激元产生具有与特定偏振分量相同的偏振分量的光。
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公开(公告)号：CN102834749A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017982.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/14 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B5/1814 , G02B5/1866 , G02B5/3041 , G02B5/305 , G02B5/3058 , G02B5/32 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B27/425 , G02B27/4261 , G02B27/4272 , G02F1/13362 , G03B21/2033 , G03B21/2073 , H04N9/3167
Abstract: 这里公开的光学元件具有：导光体（11）；表面等离子体激发装置（14），设置在导光体（11）的界面上并利用从导光体（11）输入的光中的特定偏振成分激发表面等离子体，该成分具有与导光体（11）的表面内的第一方向（y）正交的偏振方向；光产生装置，包括金属层（12）和覆盖层（13），并通过在金属层（12）与覆盖层（13）之间的界面中响应于由特定偏振成分借助于表面等离子体激发装置（14）激发的表面等离子体而产生的表面等离子体，来产生与特定偏振成分具有相同偏振成分的光。表面等离子体激发装置（14）包括多个突起部（14a），分别沿着第一方向（y）延伸并沿着与第一方向（y）正交的第二方向（x）周期性地布置。
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公开(公告)号：CN102782394A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080065176.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: F21S2/00 , F21Y101/02
Abstract: 光源设备包括：载流子产生层（16），其中来自光引导体（12）的光产生载流子，来自发光元件的光进入光引导体；等离子体激发层（17），具有高于来自发光元件的光激发载流子产生层（16）时产生的光的频率的等离子体频率；波矢量转换层（18），把等离子体激发层（17）产生的表面等离子体转换为具有预定出射角的光以输出光。等离子体激发层（17）被夹在具有介电特性的两个层之间。等离子体激发层（17）入射侧部分的有效介电常数大于等离子体激发层（17）出射侧部分的有效介电常数，入射侧部分包括堆叠在光引导体（12）侧的整个结构，出射侧部分包括堆叠在波矢量转换层（18）侧的整个结构和与波矢量转换层（18）接触的介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598852B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080049200.6
申请日：2010-10-14
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H05B33/02 , G02B1/02 , G02B3/00 , G02B5/18 , G02B5/30 , G02B27/28 , G03B21/14 , H01L33/22 , H01L51/50
CPC classification number: G02B5/008 , G01N21/553 , G01N21/648 , G02B3/0031 , G02B5/3016 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B26/02 , G02F1/133606 , G03B21/14 , G03B21/2033 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L2933/0083 , H04N9/3152
Abstract: 光源层(4)具有基板(10)，和被设置在基板(10)上的由空穴输送层(11)和电子输送层(13)组成的一对层。方向性控制层(5)具有在光源层(4)的与其基板(10)侧相反的侧层叠并且具有高于从光源层(4)出射的光的频率的等离子体频率的等离子体激元激发层(15)，和在等离子体激元激发层(15)上层叠并且转换从等离子体激元激发层(15)引入的光从而以预定输出角度出射光的波矢量转换层(17)。等离子体激元激发层(15)被夹在低介电常数层(14)和高介电常数层(16)之间。
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公开(公告)号：CN102834749B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201180017982.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/14 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B5/1814 , G02B5/1866 , G02B5/3041 , G02B5/305 , G02B5/3058 , G02B5/32 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B27/425 , G02B27/4261 , G02B27/4272 , G02F1/13362 , G03B21/2033 , G03B21/2073 , H04N9/3167
Abstract: 这里公开的光学元件具有：导光体（11）；表面等离子体激发装置（14），设置在导光体（11）的界面上并利用从导光体（11）输入的光中的特定偏振成分激发表面等离子体，该成分具有与导光体（11）的表面内的第一方向（y）正交的偏振方向；光产生装置，包括金属层（12）和覆盖层（13），并通过在金属层（12）与覆盖层（13）之间的界面中响应于由特定偏振成分借助于表面等离子体激发装置（14）激发的表面等离子体而产生的表面等离子体，来产生与特定偏振成分具有相同偏振成分的光。表面等离子体激发装置（14）包括多个突起部（14a），分别沿着第一方向（y）延伸并沿着与第一方向（y）正交的第二方向（x）周期性地布置。
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公开(公告)号：CN102549328B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080043918.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 枣田昌尚
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/005 , G02B6/0053 , G02B6/0068
Abstract: 公开了一种光学元件，该光学元件包括：光引导体，出自发光元件的光入射到该光引导体上；载流子产生层(6)，该载流子产生层形成在光引导体中，在光引导体中载流子由出自光引导体的光产生；等离子体激元激发层(8)，该等离子体激元激发层堆叠在载流子产生层(6)上，该等离子体激元激发层具有比当载流子产生层(6)由出自发光元件的光激发时所产生的光的频率高的等离子体频率；以及波矢量转换层(10)，该波矢量转换层堆叠在等离子体激元激发层(8)上，该波矢量转换层将从等离子体激元激发层入射的光转换成具有预定出射角的光以输出该光。等离子体激元激发层(8)夹在低介电常数层(7)和高介电常数层(9)之间。
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公开(公告)号：CN103154804A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049777.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/204 , B32B27/18 , B82Y20/00 , C09K11/08 , G02B5/008 , G02B6/005 , G02B2207/113 , G02F1/01 , G02F2/02 , G02F2202/30 , G03B21/14
Abstract: 提供一种具有提高的更高效率和更高亮度的光学装置。该光学装置（1）具有：荧光体层（11），用于通过入射光产生荧光；等离激元激发层（12），用于通过该荧光激发第一表面等离激元；以及出射层（13），用于将第一表面等离激元转换成光并且发射该光；这些层依次层叠在光学装置（1）上，其中，载流子产生层（11）具有通过该入射光激发第二表面等离激元的金属微颗粒。
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公开(公告)号：CN102893199B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180024087.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G03B21/00 , G02B5/008 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/0075 , G02B26/02 , G03B21/005 , G03B21/14 , G03B21/204 , G03B21/2066 , H04N5/74 , H04N9/31 , H04N9/3152
Abstract: 本发明包括光阀部分(10)和等离子激元耦合部分(11)，光阀部分(10)具有基板(22)，从在从发光元件(25)发出的光的透射状态和遮挡状态之间切换的多个光学连接机构(23)出射的光透过基板(22)，等离子激元耦合部分(11)布置在光阀部分(10)中并使得利用从发光元件(25)出射的光而发生等离子激元耦合。等离子激元耦合部分(11)包括利用从发光元件(25)出射的光生成载流子的载流子生成层(15)，和等离子体频率高于利用从发光元件(25)发出的光所激发的载流子生成层(15)中生成的光的频率的等离子激元激发层(17)。波数矢量转换层(19)布置在基板(22)上。波数矢量转换层(19)将在等离子激元激发层(17)中生成的光或表面等离子激元转换为具有预定出射角的光。等离子激元激发层(17)夹在第一介电常数层(16)和第二介电常数层(18)之间。
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