公开(公告)号：CN1461041A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03136416.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 塩田国弘 ,  奥村藤男

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1214 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/942 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使光掩模之间彼此准确对齐所需要的定位图案(4)；非晶硅(2)，其沉积到绝缘层(12)的除形成有定位图案的区域外的整个表面，以及将离子注入的图案和定位图案(4)同时转移到光抗蚀剂层(3)；使用光抗蚀剂掩膜(3)把掺杂剂杂质离子注入非晶硅层(2)，使用光抗蚀掩膜(3)选择性蚀刻绝缘层(12)；结果简化了工艺程序。

公开(公告)号：CN1309018C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03136416.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 塩田国弘 ,  奥村藤男

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1214 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/942 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使光掩模之间彼此准确对齐所需要的定位图案(4)；非晶硅(2)，其沉积到绝缘层(12)的除形成有定位图案的区域外的整个表面，以及将离子注入的图案和定位图案(4)同时转移到光抗蚀剂层(3)；使用光抗蚀剂掩膜(3)把掺杂剂杂质离子注入非晶硅层(2)，使用光抗蚀掩膜(3)选择性蚀刻绝缘层(12)；结果简化了工艺程序。