碳纳米管集合体的制造方法

    公开(公告)号:CN114929621B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202180008111.5

    申请日:2021-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够高效地生产高品质的碳纳米管集合体的碳纳米管集合体的制造方法。本发明涉及一种使碳纳米管集合体在表面具有催化剂的基材上生长的制造方法。在该制造方法中,分别在形成单元和生长单元中使用运送单元连续地运送基材,所述形成单元进行使基材上的催化剂成为还原状态的形成工序,所述生长单元进行使碳纳米管集合体生长的生长工序,所述运送单元通过螺杆旋转来运送基材。而且,在实施形成工序和生长工序时,在防止这些工序中的气体环境相互混入的同时实施这两个工序。

    碳纳米管集合体的制造方法

    公开(公告)号:CN114929621A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202180008111.5

    申请日:2021-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够高效地生产高品质的碳纳米管集合体的碳纳米管集合体的制造方法。本发明涉及一种使碳纳米管集合体在表面具有催化剂的基材上生长的制造方法。在该制造方法中,分别在形成单元和生长单元中使用运送单元连续地运送基材,所述形成单元进行使基材上的催化剂成为还原状态的形成工序,所述生长单元进行使碳纳米管集合体生长的生长工序,所述运送单元通过螺杆旋转来运送基材。而且,在实施形成工序和生长工序时,在防止这些工序中的气体环境相互混入的同时实施这两个工序。

    栅格起偏镜及其制法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101228463B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200680026794.2

    申请日:2006-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种栅格起偏镜,其包括包含透明材料的第1层、包含透明材料的第3层以及位于第1层和第3层之间的第2层;第2层,其包括细长线状延伸的多个A层和细长线状延伸的多个B层,这些A层和B层被交替并列配置,所述A层包含复折射率(N=n-iκ)的实部n和虚部κ之差的绝对值为1.0以上的材料,所述B层包含气体;第3层,其通过包含与无机材料结合的反应基团和与有机材料结合的反应基团的化合物与A层结合、或包含透明的无机氧化物或无机氮化物、或包含多孔性物质。

    碳纳米管集合体及其制造方法

    公开(公告)号:CN114746365A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202180006882.0

    申请日:2021-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种分散性优异的碳纳米管集合体及其制造方法。本发明涉及满足下述(1)~(3)的条件中的至少一个的碳纳米管集合体。(1)在使CNT集合体分散而得到的CNT分散体的FT‑IR光谱中,CNT的基于等离激元共振的峰存在于波数大于300cm‑1且2000cm‑1以下的范围。(2)CNT集合体的微分细孔容量分布中的最大的峰在细孔径大于100nm且小于400nm的范围。(3)CNT集合体的电子显微镜图像的二维空间频谱的峰在1μm‑1以上且100μm‑1以下的范围至少存在一个。

Patent Agency Ranking