公开(公告)号：CN1237577C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02102460.X

申请日：2002-01-22

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 大冢健二 ,  村永直树 ,  竹本菊郎

IPC: H01L21/205 ,  B01D53/74

CPC classification number: C30B25/02 ,  B01D53/58 ,  B01D53/77 ,  B01D2258/0216 ,  C23C14/0617 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4488 ,  C30B29/406

Abstract: 公开了由HVPE法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此设备中的废气的净化设备以及用于由HVPE法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性抗侵蚀材料制成也都电接地，因而能可靠地防止由于废气中的氯化铵粉末与排气管道内壁间的摩擦造成的静电充电，由此可以显著地提高作业的安全性。

公开(公告)号：CN1367525A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02102460.X

申请日：2002-01-22

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 大冢健二 ,  村永直树 ,  竹本菊郎

IPC: H01L21/205 ,  B01D53/74

CPC classification number: C30B25/02 ,  B01D53/58 ,  B01D53/77 ,  B01D2258/0216 ,  C23C14/0617 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4488 ,  C30B29/406

Abstract: 公开了由HVPE法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此设备中的废气的净化设备以及用于由HVPE法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性抗侵蚀材料制成也都电接地,因而能可靠地防止由于废气中的氯化铵粉末与排气管道内壁间的摩擦造成的静电充电,由此可以显著地提高作业的安全性。

公开(公告)号：CN1286644A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN99801645.4

申请日：1999-08-04

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 大冢健二 ,  荒川秩 ,  长谷见隆司 ,  网岛丰 ,  铃木规广

IPC: B01D53/68 ,  B01J20/20

CPC classification number: B01D53/685 ,  B01J20/04 ,  B01J20/041 ,  B01J20/20 ,  B01J20/223 ,  B01J20/28004 ,  B01J20/2803 ,  B01J20/28066 ,  B01J20/3007 ,  B01J20/3014 ,  B01J20/3042 ,  B01J20/3204 ,  B01J20/3236 ,  B01J2220/42 ,  B01J2220/485 ,  B01J2220/58 ,  Y10S95/901

Abstract: 能够从半导体制造过程中产生的废气中将有毒的卤素系气体如氟、氯、三氟化硼、三氯化硼及六氟化钨加以有效去除的净化剂及净化方法,通过将碱金属的甲酸盐和/或碱土金属的甲酸盐添加附着至活性炭上,或者将碱金属的氢氧化物和/或碱土金属的氢氧化物同碱金属的甲酸盐和/或减土金属的甲酸盐一起添加附着至活性炭上,来制备所述净化剂,通过将废气暴露于所述净化剂中,就可以将所述废气中的有毒的卤素系气体加以有效去除,而且已吸附在所述净化剂上的卤素系气体的脱附程度很小。另外,借助一种包含金属氧化物或金属的氢氧化物的预处理净化剂和一种通过将钠的甲酸盐添加附着至金属氧化物上制备而成的后处理净化剂,所述净化处理的安全性和有效性可得到进一步改善。