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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1295875A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00133741.6
申请日：2000-10-27
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/72
CPC classification number: B01J20/28057 , B01D53/02 , B01D53/46 , B01D2257/706 , B01J20/0237 , B01J20/06 , C23C16/4412
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗包含以下通式所示有机金属化合物作为有害组分的有害气体的清洗剂和清洗方法:Rm－M－Hn其中R为烷基,M为As、P、S、Se或Te,且m和n分别为正整数,满足等式:m+n=M的化合价。该清洗剂包含氧化铜(Ⅱ)或氧化铜(Ⅱ)与二氧化锰的混合物作为有效组分。氧化铜(Ⅱ)的BET比表面积为10米2/克或更高,这明显大于常用作已知清洗剂中有效组分的氧化铜(Ⅱ)。
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公开(公告)号：CN1381872A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02106424.5
申请日：2002-02-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/455 , C23C16/45591 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置,它包括一种水平管式反应器,配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分,其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧,这样改变气流方向为倾斜向下的方向,或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样,即使在大尺寸基片,或多个基片同时,或在高温下进行化学汽相沉积的情况下,可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。
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公开(公告)号：CN1157249C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN00133741.6
申请日：2000-10-27
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/72
CPC classification number: B01J20/28057 , B01D53/02 , B01D53/46 , B01D2257/706 , B01J20/0237 , B01J20/06 , C23C16/4412
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗包含以下通式所示有机金属化合物作为有害组分的有害气体的清洗剂和清洗方法：Rm-M-Hn其中R为烷基，M为As、P、S、Se或Te，且m和n分别为正整数，满足等式：m+n＝M的化合价。该清洗剂包含氧化铜(II)或氧化铜(II)与二氧化锰的混合物作为有效组分。氧化铜(II)的BET比表面积为10米2/克或更高，这明显大于常用作已知清洗剂中有效组分的氧化铜(II)。
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公开(公告)号：CN1214447C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN02106424.5
申请日：2002-02-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 德岛酸素工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/455 , C23C16/45591 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧，这样改变气流方向为倾斜向下的方向，或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样，即使在大尺寸基片，或多个基片同时，或在高温下进行化学汽相沉积的情况下，可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。
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公开(公告)号：CN1286644A
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：CN99801645.4
申请日：1999-08-04
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: B01D53/685 , B01J20/04 , B01J20/041 , B01J20/20 , B01J20/223 , B01J20/28004 , B01J20/2803 , B01J20/28066 , B01J20/3007 , B01J20/3014 , B01J20/3042 , B01J20/3204 , B01J20/3236 , B01J2220/42 , B01J2220/485 , B01J2220/58 , Y10S95/901
Abstract: 能够从半导体制造过程中产生的废气中将有毒的卤素系气体如氟、氯、三氟化硼、三氯化硼及六氟化钨加以有效去除的净化剂及净化方法,通过将碱金属的甲酸盐和/或碱土金属的甲酸盐添加附着至活性炭上,或者将碱金属的氢氧化物和/或碱土金属的氢氧化物同碱金属的甲酸盐和/或减土金属的甲酸盐一起添加附着至活性炭上,来制备所述净化剂,通过将废气暴露于所述净化剂中,就可以将所述废气中的有毒的卤素系气体加以有效去除,而且已吸附在所述净化剂上的卤素系气体的脱附程度很小。另外,借助一种包含金属氧化物或金属的氢氧化物的预处理净化剂和一种通过将钠的甲酸盐添加附着至金属氧化物上制备而成的后处理净化剂,所述净化处理的安全性和有效性可得到进一步改善。
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