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公开(公告)号:CN108022602B
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201711031542.5
申请日:2017-10-27
Abstract: 一测试试片(52A)包括伪元件电路(105),该伪元件电路由主电路部分(100)和调节部分(101)构成。主电路部分(100)包括第一图案导体(81)和第二图案导体(96,97)。第一图案导体(81)和第二图案导体(96,97)相互重叠,并有一介电层(71)插入其间。第一图案导体(81)电气连接到第二图案导体(96,97)。主电路部分表示等效电路的R元件和L元件,且其是决定信号波形的主要电路元件。调节部分(101)包括线性导体(82,83)。调节部分(100)的R元件和L元件抑制了电压波形的峰值。
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公开(公告)号:CN108022602A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201711031542.5
申请日:2017-10-27
CPC classification number: G01R31/2803 , G01R31/2829 , G11B5/455 , G11B5/484 , G11B5/4846 , G11B5/486
Abstract: 一测试试片(52A)包括伪元件电路(105),该伪元件电路由主电路部分(100)和调节部分(101)构成。主电路部分(100)包括第一图案导体(81)和第二图案导体(96,97)。第一图案导体(81)和第二图案导体(96,97)相互重叠,并有一介电层(71)插入其间。第一图案导体(81)电气连接到第二图案导体(96,97)。主电路部分表示等效电路的R元件和L元件,且其是决定信号波形的主要电路元件。调节部分(101)包括线性导体(82,83)。调节部分(100)的R元件和L元件抑制了电压波形的峰值。
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公开(公告)号:CN108431892A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201780005107.7
申请日:2017-02-20
Applicant: 西部数据技术公司
Abstract: 本申请公开的实施例总体涉及用于硬盘驱动器的气密电连接器。气密电连接器包括屏障结构,所述屏障结构具有设置在屏障结构的第一表面上的第一多个连接焊盘、以及设置在屏障结构的与第一表面相对的第二表面上的第二多个连接焊盘。多个导体设置在屏障结构内,并且每个导体耦连到第一多个连接焊盘中的连接焊盘和第二多个连接焊盘中的对应连接焊盘。屏障结构还包括在第一表面与第二表面之间的介电材料、以及嵌入介电材料中的一个或多个层。层的添加有助于阻塞氦气流,从而改善电连接器的密封并同时保持高速电传输。
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公开(公告)号:CN108431892B
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201780005107.7
申请日:2017-02-20
Applicant: 西部数据技术公司
Abstract: 本申请公开的实施例总体涉及用于硬盘驱动器的气密电连接器。气密电连接器包括屏障结构,所述屏障结构具有设置在屏障结构的第一表面上的第一多个连接焊盘、以及设置在屏障结构的与第一表面相对的第二表面上的第二多个连接焊盘。多个导体设置在屏障结构内,并且每个导体耦连到第一多个连接焊盘中的连接焊盘和第二多个连接焊盘中的对应连接焊盘。屏障结构还包括在第一表面与第二表面之间的介电材料、以及嵌入介电材料中的一个或多个层。层的添加有助于阻塞氦气流,从而改善电连接器的密封并同时保持高速电传输。
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公开(公告)号:CN109389996A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810598192.9
申请日:2018-06-12
Applicant: 西部数据技术公司
Abstract: 本申请公开了低渗透率电馈通装置。低渗透率电馈通装置包括层压板结构,该层压板结构具有交替的导电层和绝缘层,这些层具有经定位穿过它们的导电通孔,下部连接器焊盘与上部连接器焊盘通过该导电通孔电连接。这种馈通装置可以用在(例如在比空气轻的气体填充的数据存储设备中的)气密密封的内部环境和外部环境之间的接口处。绝缘层经定位和配置以使得相关联的水平泄漏路径可以满足允许的馈通装置泄漏率,同时层的集合经配置以使得相关联的垂直泄漏路径能够满足馈通装置泄漏率。
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公开(公告)号:CN109389996B
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201810598192.9
申请日:2018-06-12
Applicant: 西部数据技术公司
Abstract: 本申请公开了低渗透率电馈通装置。低渗透率电馈通装置包括层压板结构,该层压板结构具有交替的导电层和绝缘层,这些层具有经定位穿过它们的导电通孔,下部连接器焊盘与上部连接器焊盘通过该导电通孔电连接。这种馈通装置可以用在(例如在比空气轻的气体填充的数据存储设备中的)气密密封的内部环境和外部环境之间的接口处。绝缘层经定位和配置以使得相关联的水平泄漏路径可以满足允许的馈通装置泄漏率,同时层的集合经配置以使得相关联的垂直泄漏路径能够满足馈通装置泄漏率。
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