公开(公告)号：CN101659849A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810130976.5

申请日：2008-08-29

Applicant: 日本化学工业株式会社 ,  创技电子机械有限公司

Inventor： 中条胜 ,  泉昌宏 ,  宫部慎介 ,  前岛邦明 ,  田中弘明

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明涉及半导体晶片研磨用组合物和研磨方法。本发明提供碱金属含量少的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，研磨速度高，且相对于浓度的变化，研磨速度的变化小。本发明的半导体晶片研磨用组合物的特征在于，其含有包含固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。在固定了四乙基铵的二氧化硅粒子中含有的四乙基铵的浓度，以四乙基铵/二氧化硅的摩尔比计优选为5×10 -4 ～2.5×10 -2 的范围。

公开(公告)号：CN1322087C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03121218.2

申请日：2003-03-28

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 前岛邦明 ,  宫部慎介 ,  泉昌宏

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明的研磨组合物是特征为：由平均一次粒径为30～200nm、实质上单分散的氧化硅颗粒形成浓度为1～25重量%的胶体溶液，所述胶体溶液的pH值调制为8.7～10.5之间，用作具有缓冲作用的缓冲溶液，且作为成分之一，含有氟离子或氟配位阴离子形式的氟1～100mmol/Kg的研磨用组合物，且已知该研磨用组合物的pH变化小，研磨速度快，可清洗性好。使用本发明研磨组合物，不会降低硅片、半导体装置基板的研磨表面的品质，从而能够稳定地高速研磨。

公开(公告)号：CN1448459A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03121218.2

申请日：2003-03-28

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 前岛邦明 ,  宫部慎介 ,  泉昌宏

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明的研磨组合物是特征为：由平均一次粒径为30～200nm、实质上单分散的氧化硅颗粒形成浓度为1～25重量％的胶体溶液，所述胶体溶液的pH值调制为8.7～10.5之间，用作具有缓冲作用的缓冲溶液，且作为成分之一，含有氟离子或氟配位阴离子形式的氟1～100mmol/Kg的研磨用组合物，且已知该研磨用组合物的pH变化小，研磨速度快，可清洗性好。使用本发明研磨组合物，不会降低硅片、半导体装置基板的研磨表面的品质，从而能够稳定地高速研磨。

公开(公告)号：CN101126012A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710140386.6

申请日：2007-08-10

Applicant: 日本化学工业株式会社 ,  创技电子机械有限公司

Inventor： 前岛邦明 ,  宫部慎介 ,  泉昌宏 ,  田中弘明 ,  黑田真希子

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供含有胶态二氧化硅的半导体晶片研磨用组合物，该胶态二氧化硅由从硅酸碱水溶液除去碱而得到的活性硅酸水溶液和季铵碱制造，并且通过季铵碱而被稳定化。该研磨用组合物不含碱金属。另外，该研磨用组合物含有将在25℃时的酸解离常数的倒数的对数值(pKa)为8.0～12.5的弱酸和季铵碱组合而成的缓冲溶液，并且，研磨用组合物在25℃时、pH为8～11之间具有缓冲作用。