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公开(公告)号：CN101659849A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810130976.5
申请日：2008-08-29
Applicant: 日本化学工业株式会社 , 创技电子机械有限公司
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及半导体晶片研磨用组合物和研磨方法。本发明提供碱金属含量少的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，研磨速度高，且相对于浓度的变化，研磨速度的变化小。本发明的半导体晶片研磨用组合物的特征在于，其含有包含固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。在固定了四乙基铵的二氧化硅粒子中含有的四乙基铵的浓度，以四乙基铵/二氧化硅的摩尔比计优选为5×10 -4 ～2.5×10 -2 的范围。
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公开(公告)号：CN106062885A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011122.3
申请日：2015-03-24
Applicant: 日本化学工业株式会社
CPC classification number: B01J20/10 , B01J20/28016 , B01J20/28023 , B01J20/30 , B01J20/3007 , B01J20/3021 , B01J20/3085 , C01B33/20 , C01B33/32 , C01B33/36 , C01G23/005 , C01P2002/72 , C02F1/281 , C02F2101/006 , C02F2103/08 , G21F9/12
Abstract: 本发明提供一种即使在海水中Cs和Sr的吸附性能也很优异的吸附材料、以及适于该吸附材料的结晶性硅钛酸盐的制造方法。本发明的吸附材料含有选自Na4Ti4Si3O16·nH2O、(NaxK(1‑x))4Ti4Si3O16·nH2O和K4Ti4Si3O16·nH2O(这些式中，x表示大于0且小于1的数，n表示0～8的数。)所示的结晶性硅钛酸盐中的至少一种、和选自Na4Ti9O20·mH2O、(NayK(1‑y))4Ti9O20·mH2O和K4Ti9O20·mH2O(y表示大于0且小于1的数，m表示0～10的数。)所示的钛酸盐中的至少一种。该吸附材料通过将硅酸源、钠和/或钾化合物、四氯化钛和水混合而得到混合凝胶，并使该混合凝胶进行水热反应的结晶性硅钛酸盐的制造方法适当制造。
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公开(公告)号：CN106029574A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008994.4
申请日：2015-02-18
Applicant: 日本化学工业株式会社
CPC classification number: B01J20/3085 , B01J20/041 , B01J20/06 , B01J20/28016 , B01J20/2803 , B01J20/3021 , B01J20/3028 , B01J39/10 , C01G23/005 , C01G23/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C02F1/281 , C02F2101/006 , G21F9/12
Abstract: 本发明提供一种碱金属的九钛酸盐的制造方法，能够经济地制造碱金属的九钛酸盐。该制造方法包括：使碱金属氢氧化物与四氯化钛作用生成Ti(OH)4的第一工序；将生成的Ti(OH)4与碱金属氢氧化物混合的第二工序；和对第二工序中得到的混合液进行加热的第三工序，在第二工序中，以A/Ti摩尔比(A表示碱金属元素)达到1.0～5.0的范围的方式使用碱金属氢氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106715330A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052702.7
申请日：2015-09-30
Applicant: 日本化学工业株式会社
CPC classification number: B01J20/0211 , B01J20/02 , B01J20/10 , B01J20/30 , C01B33/20 , C02F1/281 , G21F9/12
Abstract: 本发明提供一种能够在工业上有利地制造即使在海水中，对铯和锶的吸附除去特性也优异的结晶性硅钛酸盐的方法。一种通式：Na4Ti4Si3O16·nH2O(式中，n表示0～8。)所示的结晶性硅钛酸盐的制造方法，其特征在于，包括：将硅酸源、钠化合物、四氯化钛和水混合获得混合凝胶的第一工序；和使第一工序所获得的混合凝胶发生水热反应的第二工序，在第一工序中，添加硅酸源、钠化合物和四氯化钛，使得混合凝胶所含的Ti与Si的摩尔比成为Ti/Si＝1.2以上1.5以下，且Na2O与SiO2的摩尔比成为Na2O/SiO2＝0.7以上2.5以下。
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公开(公告)号：CN1322087C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03121218.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 日本化学工业株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明的研磨组合物是特征为：由平均一次粒径为30～200nm、实质上单分散的氧化硅颗粒形成浓度为1～25重量%的胶体溶液，所述胶体溶液的pH值调制为8.7～10.5之间，用作具有缓冲作用的缓冲溶液，且作为成分之一，含有氟离子或氟配位阴离子形式的氟1～100mmol/Kg的研磨用组合物，且已知该研磨用组合物的pH变化小，研磨速度快，可清洗性好。使用本发明研磨组合物，不会降低硅片、半导体装置基板的研磨表面的品质，从而能够稳定地高速研磨。
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公开(公告)号：CN1448459A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03121218.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 日本化学工业株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明的研磨组合物是特征为：由平均一次粒径为30～200nm、实质上单分散的氧化硅颗粒形成浓度为1～25重量％的胶体溶液，所述胶体溶液的pH值调制为8.7～10.5之间，用作具有缓冲作用的缓冲溶液，且作为成分之一，含有氟离子或氟配位阴离子形式的氟1～100mmol/Kg的研磨用组合物，且已知该研磨用组合物的pH变化小，研磨速度快，可清洗性好。使用本发明研磨组合物，不会降低硅片、半导体装置基板的研磨表面的品质，从而能够稳定地高速研磨。
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公开(公告)号：CN106062885B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201580011122.3
申请日：2015-03-24
Applicant: 日本化学工业株式会社
CPC classification number: B01J20/10 , B01J20/28016 , B01J20/28023 , B01J20/30 , B01J20/3007 , B01J20/3021 , B01J20/3085 , C01B33/20 , C01B33/32 , C01B33/36 , C01G23/005 , C01P2002/72 , C02F1/281 , C02F2101/006 , C02F2103/08 , G21F9/12
Abstract: 本发明提供一种即使在海水中Cs和Sr的吸附性能也很优异的吸附材料、以及适于该吸附材料的结晶性硅钛酸盐的制造方法。本发明的吸附材料含有选自Na4Ti4Si3O16·nH2O、(NaxK(1‑x))4Ti4Si3O16·nH2O和K4Ti4Si3O16·nH2O(这些式中，x表示大于0且小于1的数，n表示0～8的数。)所示的结晶性硅钛酸盐中的至少一种、和选自Na4Ti9O20·mH2O、(NayK(1‑y))4Ti9O20·mH2O和K4Ti9O20·mH2O(y表示大于0且小于1的数，m表示0～10的数。)所示的钛酸盐中的至少一种。该吸附材料通过将硅酸源、钠和/或钾化合物、四氯化钛和水混合而得到混合凝胶，并使该混合凝胶进行水热反应的结晶性硅钛酸盐的制造方法适当制造。
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公开(公告)号：CN101126012A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710140386.6
申请日：2007-08-10
Applicant: 日本化学工业株式会社 , 创技电子机械有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供含有胶态二氧化硅的半导体晶片研磨用组合物，该胶态二氧化硅由从硅酸碱水溶液除去碱而得到的活性硅酸水溶液和季铵碱制造，并且通过季铵碱而被稳定化。该研磨用组合物不含碱金属。另外，该研磨用组合物含有将在25℃时的酸解离常数的倒数的对数值(pKa)为8.0～12.5的弱酸和季铵碱组合而成的缓冲溶液，并且，研磨用组合物在25℃时、pH为8～11之间具有缓冲作用。
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