发光元件阵列、半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104952898B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201510146526.5

    申请日:2015-03-31

    Abstract: 本发明涉及发光元件阵列、半导体器件及其制造方法。一种发光元件阵列包括其中布置多个发光部分的半导体薄膜层。多个发光部分被驱动成以所述多个发光部分的布置方向定义主扫描方向的方式而发光。多个发光部分以相邻的发光部分在与主扫描方向垂直的次扫描方向上彼此偏移一定量的方式来布置。半导体薄膜层在次扫描方向上的端部具有沿着布置多个发光部分所采用的图案的形状。

    曝光装置、图像形成单元和图像形成装置

    公开(公告)号:CN106990687A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201611182452.1

    申请日:2016-12-20

    Inventor: 兼藤大志

    CPC classification number: G03G15/04036 B41J2/451 G03G15/04054 G03G15/0435

    Abstract: 本发明提供一种图像形成装置,其具备使图像载体曝光的曝光装置。该曝光装置具有:发光元件阵列,包含排列在第一方向且各自发出光的多个发光元件;以及透镜阵列,在与所述第一方向正交的第二方向上,与所述发光元件阵列对向配置,分别使由所述多个发光元件各自发出的多份所述光成像,满足下列式(1)和式(2)。其中,L0是透镜阵列的焦距,L1是透镜阵列与发光元件阵列的距离,L2是透镜阵列与图像载体的距离。175μm≤L0‑L1≤250μm ……(1)175μm≤L0‑L2≤250μm ……(2)。

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