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公开(公告)号：CN102002668B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010293669.6
申请日：2010-09-28
Applicant: 大连理工大学 , 日新电机株式会社 , 日新电机(大连)技术开发有限公司
Abstract: 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的低温多晶硅薄膜。利用物理气相沉积方法，代替现有等离子体增强化学气相沉积技术，不使用SiH气体前提下，直接沉积出多晶硅薄膜。由于成本低廉的基板（普通玻璃）的熔点较低，可在相对低的温度（小于300℃）条件下，在普通玻璃基板上直接沉积多晶硅薄膜，避免了以往使用基板成本高的缺点，极大地提高了竞争力。
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公开(公告)号：CN104937132B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201480005582.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C16/26 , H01J37/32055 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明提供一种等离子体装置、碳薄膜的制造方法及涂布方法。等离子体装置(10)包括真空容器(1)、电弧式蒸发源(3)、阴极构件(4)、挡板(5)、电源(7)、及触发电极(8)。电弧式蒸发源(3)与基板(20)相向而固定于真空容器(1)的侧壁。阴极构件(4)包含具有突起部的玻璃状碳，且安装于电弧式蒸发源(3)。电源(7)对电弧式蒸发源(3)施加负的电压。触发电极(8)与阴极构件(4)的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源(3)施加负的电压，使触发电极(8)与阴极构件(4)的突起部接触而产生电弧放电，将挡板(5)打开而将碳薄膜形成于基板(20)上。本发明的等离子体装置可抑制阴极构件裂开。
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公开(公告)号：CN102002668A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010293669.6
申请日：2010-09-28
Applicant: 大连理工大学 , 日新电机株式会社 , 日新电机(大连)技术开发有限公司
Abstract: 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的低温多晶硅薄膜。利用物理气相沉积方法，代替现有等离子体增强化学气相沉积技术，不使用SiH气体前提下，直接沉积出多晶硅薄膜。由于成本低廉的基板（普通玻璃）的熔点较低，可在相对低的温度（小于300℃）条件下，在普通玻璃基板上直接沉积多晶硅薄膜，避免了以往使用基板成本高的缺点，极大地提高了竞争力。
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公开(公告)号：CN104937132A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005582.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C16/26 , H01J37/32055 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321
Abstract: 等离子体装置10包括真空容器1、电弧式蒸发源3、阴极构件4、挡板5、电源7、及触发电极8。电弧式蒸发源3与基板20相向而固定于真空容器1的侧壁。阴极构件4包含具有突起部的玻璃状碳，且安装于电弧式蒸发源3。电源7对电弧式蒸发源3施加负的电压。触发电极8与阴极构件4的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源3施加负的电压，使触发电极8与阴极构件4的突起部接触而产生电弧放电，将挡板5打开而将碳薄膜形成于基板20上。
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