公开(公告)号：CN1285419A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00126009.X

申请日：2000-08-18

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 冈崎尚登 ,  大谷聪 ,  入泽一彦 ,  中村信彦

IPC: C23C14/24

CPC classification number: H01J37/32055 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32614

Abstract: 本发明涉及一种电弧型蒸发源,该蒸发源拥有基本上呈柱状的阴极,其轴向长度大于其直径;阴极供料装置,用于沿该阴极的轴向向该阴极供料;阴极冷却装置,用于以冷却剂冷却该阴极的至少一侧表面;和磁线圈,用于产生基本垂直延伸到该阴极前端的蒸发表面或从该蒸发表面向外延伸的磁通。

公开(公告)号：CN102414348B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200980158997.0

申请日：2009-04-30

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 浜田信吉 ,  中村信彦 ,  松浪彻

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明涉及一种SiC基板的制作方法，其为使用亚稳态溶剂外延法制作SiC基板的方法，该方法具有下述工序：晶体生长工序，在SiC晶体生长温度下在SiC基板的表面生长规定膜厚的SiC晶体；之后的Si蒸发工序，在SiC晶体生长温度与Si熔点之间的温度下使Si熔体蒸发。在该SiC基板的制作方法中，晶体生长工序的气氛压力高于Si熔体的饱和蒸气压，Si蒸发工序中的气氛压力低于Si熔体的饱和蒸气压。通过前述方法可得到表面没有大的凹凸的单晶SiC。