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公开(公告)号：CN102414348B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980158997.0
申请日：2009-04-30
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种SiC基板的制作方法，其为使用亚稳态溶剂外延法制作SiC基板的方法，该方法具有下述工序：晶体生长工序，在SiC晶体生长温度下在SiC基板的表面生长规定膜厚的SiC晶体；之后的Si蒸发工序，在SiC晶体生长温度与Si熔点之间的温度下使Si熔体蒸发。在该SiC基板的制作方法中，晶体生长工序的气氛压力高于Si熔体的饱和蒸气压，Si蒸发工序中的气氛压力低于Si熔体的饱和蒸气压。通过前述方法可得到表面没有大的凹凸的单晶SiC。
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