公开(公告)号：CN115398028B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202180025338.0

申请日：2021-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 森地健太 ,  齐藤正一朗

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(10)和磁控等离子体单元(11)。磁控等离子体单元(11)具备旋转靶(17)和磁体单元(18)。磁体单元(18)相邻地具备第1磁极部(21)和第2磁极部(22)。第1磁极部依次具有第1区域(23)、第2区域(24)、以及第3区域(25)。这些区域各自具有作为磁化方向的分解分量而得到的第1分量和第2分量中的至少一个。在第1区域(23)和第3区域(25)中，第1分量比第2分量大，它们是反向的。在第2区域(24)中，第1分量比第2分量小。

公开(公告)号：CN114761610B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202080083700.5

申请日：2020-12-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 森地健太 ,  谷口刚志

IPC: C23C14/35

Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(52)、第1磁控等离子体单元(11)、以及第2磁控等离子体单元(12)。磁控溅射成膜装置(1)满足至少条件[1]。条件[1]：在从第1旋转靶(13)的第2轴线(A2)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第1方向上，从第1磁体部(15)到第1旋转靶(13)的距离(L1)随着朝向轴线(A)方向一侧而变长。在从第2旋转靶(33)的第3轴线(A3)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第2方向上，从第2磁体部(35)到第2旋转靶(33)的距离(L2)随着朝向轴线(A)方向另一侧而变长。

公开(公告)号：CN113631752B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202080023691.0

申请日：2020-03-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 森地健太 ,  塘口直树 ,  谷口刚志

IPC: C23C14/35

Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(14)和与成膜辊(14)相对配置的磁控等离子体单元(15)。磁控等离子体单元(15)具备：旋转靶(16)，其轴线在与成膜辊(14)的轴线相同的方向上延伸；和磁体单元(200)，其配置于旋转靶(16)的径向内侧。在下述中所求出的角度(θ)是30度以下。在旋转靶(16)的外周面上，朝向旋转靶(16)的圆周方向的一方向测定旋转靶(16)的磁通密度的切线方向分量。求出连结相当于磁通密度的最大的切线方向分量的点(MAX＿P)和旋转靶(16)的中心的线段(LS1)与连结相当于磁通密度的最小的切线方向分量的点(MIN＿P)和中心的线段(LS2)所成的角度(θ)。

公开(公告)号：CN115298761A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021982.0

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  小笹顺平 ,  森地健太

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G06F3/041

Abstract: 透明导电性薄膜1依次具备基材层2和透光性导电层3。基材层2包含树脂层。透光性导电层3包含氪原子和/或氙原子。

公开(公告)号：CN115398028A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180025338.0

申请日：2021-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 森地健太 ,  齐藤正一朗

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(10)和磁体单元(18)。磁体单元(18)具备旋转靶(17)和磁体单元(18)。磁体单元(18)相邻地具备第1磁极部(21)和第2磁极部(22)。第1磁极部依次具有第1区域(23)、第2区域(24)、以及第2区域(24)。这些区域各自具有作为磁化方向的分解分量而得到的第1分量和第2分量中的至少一个。在第1区域(23)和第3区域(25)中，第1分量比第2分量大，它们是反向的。在第2区域(24)中，第1分量比第2分量小。

公开(公告)号：CN114761610A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083700.5

申请日：2020-12-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 森地健太 ,  谷口刚志

IPC: C23C14/35

Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(52)、第1磁控等离子体单元(11)、以及第2磁控等离子体单元(12)。磁控溅射成膜装置(1)满足至少条件[1]。条件[1]：在从第1旋转靶(13)的第2轴线(A2)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第1方向上，从第1磁体部(15)到第1旋转靶(13)的距离(L1)随着朝向轴线(A)方向一侧而变长。在从第2旋转靶(33)的第3轴线(A3)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第2方向上，从第2磁体部(35)到第2旋转靶(33)的距离(L2)随着朝向轴线(A)方向另一侧而变长。

公开(公告)号：CN113631752A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080023691.0

申请日：2020-03-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 森地健太 ,  塘口直树 ,  谷口刚志

IPC: C23C14/35

Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(14)和与成膜辊(14)相对配置的磁控等离子体单元(15)。磁控等离子体单元(15)具备：旋转靶(16)，其轴线在与成膜辊(14)的轴线相同的方向上延伸；和磁体单元(200)，其配置于旋转靶(16)的径向内侧。在下述中所求出的角度(θ)是30度以下。在旋转靶(16)的外周面上，朝向旋转靶(16)的圆周方向的一方向测定旋转靶(16)的磁通密度的切线方向分量。求出连结相当于磁通密度的最大的切线方向分量的点(MAX＿P)和旋转靶(16)的中心的线段(LS1)与连结相当于磁通密度的最小的切线方向分量的点(MIN＿P)和中心的线段(LS2)所成的角度(θ)。