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公开(公告)号：CN114761610B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202080083700.5
申请日：2020-12-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(52)、第1磁控等离子体单元(11)、以及第2磁控等离子体单元(12)。磁控溅射成膜装置(1)满足至少条件[1]。条件[1]：在从第1旋转靶(13)的第2轴线(A2)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第1方向上，从第1磁体部(15)到第1旋转靶(13)的距离(L1)随着朝向轴线(A)方向一侧而变长。在从第2旋转靶(33)的第3轴线(A3)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第2方向上，从第2磁体部(35)到第2旋转靶(33)的距离(L2)随着朝向轴线(A)方向另一侧而变长。
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公开(公告)号：CN119805646A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411406682.6
申请日：2024-10-10
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及阻隔膜和带有阻隔膜的偏振板。阻隔膜(1)具备：透明基材膜(2)；以及阻隔层(4)，配置于透明基材膜(2)的厚度方向一方侧。透明基材膜(2)具备透明树脂膜(21)。阻隔层(4)具备至少一层氧化硅层(42)和配置于氧化硅层(42)的厚度方向一方侧的防污层(43)。在厚度方向上，最接近防污层(43)的氧化硅层(42)的密度为2.35g/cm3以上。
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公开(公告)号：CN113631752B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202080023691.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(14)和与成膜辊(14)相对配置的磁控等离子体单元(15)。磁控等离子体单元(15)具备：旋转靶(16)，其轴线在与成膜辊(14)的轴线相同的方向上延伸；和磁体单元(200)，其配置于旋转靶(16)的径向内侧。在下述中所求出的角度(θ)是30度以下。在旋转靶(16)的外周面上，朝向旋转靶(16)的圆周方向的一方向测定旋转靶(16)的磁通密度的切线方向分量。求出连结相当于磁通密度的最大的切线方向分量的点(MAX＿P)和旋转靶(16)的中心的线段(LS1)与连结相当于磁通密度的最小的切线方向分量的点(MIN＿P)和中心的线段(LS2)所成的角度(θ)。
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公开(公告)号：CN114761610A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080083700.5
申请日：2020-12-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(52)、第1磁控等离子体单元(11)、以及第2磁控等离子体单元(12)。磁控溅射成膜装置(1)满足至少条件[1]。条件[1]：在从第1旋转靶(13)的第2轴线(A2)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第1方向上，从第1磁体部(15)到第1旋转靶(13)的距离(L1)随着朝向轴线(A)方向一侧而变长。在从第2旋转靶(33)的第3轴线(A3)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第2方向上，从第2磁体部(35)到第2旋转靶(33)的距离(L2)随着朝向轴线(A)方向另一侧而变长。
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公开(公告)号：CN113631752A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023691.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(14)和与成膜辊(14)相对配置的磁控等离子体单元(15)。磁控等离子体单元(15)具备：旋转靶(16)，其轴线在与成膜辊(14)的轴线相同的方向上延伸；和磁体单元(200)，其配置于旋转靶(16)的径向内侧。在下述中所求出的角度(θ)是30度以下。在旋转靶(16)的外周面上，朝向旋转靶(16)的圆周方向的一方向测定旋转靶(16)的磁通密度的切线方向分量。求出连结相当于磁通密度的最大的切线方向分量的点(MAX＿P)和旋转靶(16)的中心的线段(LS1)与连结相当于磁通密度的最小的切线方向分量的点(MIN＿P)和中心的线段(LS2)所成的角度(θ)。
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