公开(公告)号：CN106111573A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610280592.6

申请日：2016-04-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中市诚 ,  惣田民雄 ,  西乡公史

IPC: B08B1/02

CPC classification number: B08B1/02 ,  B08B1/005

Abstract: 本发明提供一种辊构件的清扫装置以及辊构件的清扫方法。辊构件的清扫装置包括：刮擦部，其在所述辊构件的宽度方向上形成得比所述辊构件短，并且，能够一边与旋转着的所述辊构件的表面接触一边沿着所述宽度方向移动；去除部，其配置于所述辊构件的所述宽度方向的外侧，能够将附着到所述刮擦部上的异物去除。

公开(公告)号：CN106111573B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201610280592.6

申请日：2016-04-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中市诚 ,  惣田民雄 ,  西乡公史

IPC: B08B1/02

Abstract: 本发明提供一种辊构件的清扫装置以及辊构件的清扫方法。辊构件的清扫装置包括：刮擦部，其在所述辊构件的宽度方向上形成得比所述辊构件短，并且，能够一边与旋转着的所述辊构件的表面接触一边沿着所述宽度方向移动；去除部，其配置于所述辊构件的所述宽度方向的外侧，能够将附着到所述刮擦部上的异物去除。

公开(公告)号：CN112083522B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202010489763.2

申请日：2020-06-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 祝部学 ,  井川博登 ,  惣田民雄 ,  冈本幸一

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/14 ,  B65H21/00 ,  B65H23/032

Abstract: 本发明提供能够减少因对保护薄膜实施的拼接处理而产生的偏光薄膜的浪费的偏光薄膜的制造方法等。在本发明中，对于贴合于偏振片(F1)的双面的保护薄膜(F2a、F2b)，将它们分别自卷绕于放出辊(60)的放出位置输送至贴合位置，并利用拼接处理装置(40)对它们分别实施拼接处理。本发明包含：剩余长度计算工序，在该工序中，利用剩余长度计算部件(20)分别计算卷绕于放出辊的保护薄膜的剩余长度；以及拼接处理工序，在该工序中，在保护薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时，利用控制部件(30)来控制实施时刻而使贴合位置处的保护薄膜的拼接部(Sa、Sb)的位置偏移(L)处于规定范围内，实施针对保护薄膜的拼接处理。

公开(公告)号：CN112083522A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010489763.2

申请日：2020-06-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 祝部学 ,  井川博登 ,  惣田民雄 ,  冈本幸一

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/14 ,  B65H21/00 ,  B65H23/032

Abstract: 本发明提供能够减少因对保护薄膜实施的拼接处理而产生的偏光薄膜的浪费的偏光薄膜的制造方法等。在本发明中，对于贴合于偏振片(F1)的双面的保护薄膜(F2a、F2b)，将它们分别自卷绕于放出辊(60)的放出位置输送至贴合位置，并利用拼接处理装置(40)对它们分别实施拼接处理。本发明包含：剩余长度计算工序，在该工序中，利用剩余长度计算部件(20)分别计算卷绕于放出辊的保护薄膜的剩余长度；以及拼接处理工序，在该工序中，在保护薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时，利用控制部件(30)来控制实施时刻而使贴合位置处的保护薄膜的拼接部(Sa、Sb)的位置偏移(L)处于规定范围内，实施针对保护薄膜的拼接处理。