一种皮拉尼真空计系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112097991B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202010951469.9

    申请日:2020-09-11

    IPC分类号: G01L21/00

    摘要: 本发明涉及真空压力测量技术领域,具体公开了一种皮拉尼真空计系统,其中,包括:皮拉尼真空阵列、开关控制阵列、信号处理模块和电源,皮拉尼真空阵列与开关控制阵列连接,信号处理模块与开关控制阵列连接,电源分别与皮拉尼真空阵列、开关控制阵列和信号处理模块连接;皮拉尼真空阵列包括多个皮拉尼真空单元;开关控制阵列用于根据电源的类型控制皮拉尼真空单元之间的连接方式;信号处理模块用于将皮拉尼真空阵列输出的与真空度对应的电压值进行转换得到相应的真空度;电源用于向皮拉尼真空阵列、开关控制阵列和信号处理模块提供工作所需的电压或电流。本发明提供的皮拉尼真空计系统能够实现宽量程高灵敏度的真空度测量。

    一种非制冷红外器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN112611467A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011338750.1

    申请日:2020-11-25

    IPC分类号: G01J5/10 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及红外探测技术领域,具体公开了一种非制冷红外器件,包括:敏感区、悬臂梁、框架、有源器件和金属引线,其中,所述敏感区通过所述悬臂梁与所述框架机械连接,并悬空;所述有源器件位于所述框架上,并通过所述悬臂梁与所述敏感区电学连接;所述金属引线位于所述有源器件上,将有源器件信号引出。本发明还公开了一种非制冷红外器件的制作方法。本发明通过简单的结构以及与器件兼容的MEMS工艺,实现了一种具有开关与放大功能的非制冷红外器件,该器件可与电路分别制造,且后期通过打线集成;从而克服现有的单片集成和3D集成为实现制作,器件和电路的性能需彼此妥协的问题。

    一种刻蚀深度的检测方法

    公开(公告)号:CN111430255B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202010244674.1

    申请日:2020-03-31

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明涉及微电子测试分析技术领域,具体公开了一种刻蚀深度的检测方法,其中,在待刻蚀槽上方设置敏感模块和至少两根梁,敏感模块包括热敏单元,每根梁的一端与待刻蚀槽的边框连接,另一端与敏感模块连接,每根梁中均包括导线,导线与热敏单元连接,当对待刻蚀槽进行刻蚀时,刻蚀深度的检测方法包括:获取热敏单元在不同气压下的稳态输出电压;根据热敏单元在不同气压下的稳态输出电压得到热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线;根据热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线推导得到转折气压值;根据转折气压与刻蚀深度的关系模型以及转折气压值计算待刻蚀槽的刻蚀深度。本发明提供的刻蚀深度的检测方法不用破坏器件结构就能准确检测刻蚀深度。

    一种传感器阵列电串扰消除方法

    公开(公告)号:CN113038043B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110318130.X

    申请日:2021-03-25

    IPC分类号: H04N5/357

    摘要: 本发明涉及传感器阵列信号处理技术领域,具体公开了一种传感器阵列电串扰消除方法,其中,所述传感器阵列按行列布局,并通过共享的行列引线读出各个阵列像素的输出信号,所述传感器阵列电串扰消除方法包括:获取传感器阵列中各个阵列像素的响应特性;根据各个阵列像素的响应特性生成原始待探测物理信号的衍生信号;对所述衍生信号构成的阵列方程组进行反解获得各个阵列像素的实际物理信号,其中所述实际物理信号为传感器阵列电串扰消除信号。本发明提供的传感器阵列电串扰消除方法可以实现传感器阵列待测物理信号的无串扰测量,不需要修改电路;同时该方法对于传感器类型没有明显的限制,适用范围广,可广泛应用于不同的类型的传感器阵列。

    一种传感器阵列电串扰消除方法

    公开(公告)号:CN113038043A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110318130.X

    申请日:2021-03-25

    IPC分类号: H04N5/357

    摘要: 本发明涉及传感器阵列信号处理技术领域,具体公开了一种传感器阵列电串扰消除方法,其中,所述传感器阵列按行列布局,并通过共享的行列引线读出各个阵列像素的输出信号,所述传感器阵列电串扰消除方法包括:获取传感器阵列中各个阵列像素的响应特性;根据各个阵列像素的响应特性生成原始待探测物理信号的衍生信号;对所述衍生信号构成的阵列方程组进行反解获得各个阵列像素的实际物理信号,其中所述实际物理信号为传感器阵列电串扰消除信号。本发明提供的传感器阵列电串扰消除方法可以实现传感器阵列待测物理信号的无串扰测量,不需要修改电路;同时该方法对于传感器类型没有明显的限制,适用范围广,可广泛应用于不同的类型的传感器阵列。

    一种红外热探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN111879419B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202010766640.9

    申请日:2020-08-03

    IPC分类号: G01J5/52

    摘要: 本发明涉及探测器技术领域,具体公开了一种红外热探测器,包括:控制电路;与控制电路连接的红外热敏单元;以及设置在控制电路上的封装结构;其中,控制电路包括信号读出电路接口和信号产生电路接口;封装结构包括框架、盖帽、加热器和控制线;框架固定在控制电路上,其中框架的底端固定在信号产生电路接口上;盖帽悬置于框架上,并与框架形成包围红外热敏单元的闭合空腔;加热器位于盖帽上;控制线分别位于盖帽上和框架中,其中加热器通过控制线与信号产生电路接口电学连接。本发明还公开了一种红外热探测器的制作方法。本发明提供的红外热探测器能在不影响探测器基本性能的基础上,实现模拟黑体红外‑热‑电转换下的辐射响应自测试。

    一种皮拉尼真空计系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111289173A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010168171.0

    申请日:2020-03-11

    IPC分类号: G01L21/00

    摘要: 本发明涉及真空压力测量技术领域,具体公开了一种皮拉尼真空计系统,其中,包括:皮拉尼真空计、电压采集装置、控制电路和电源装置,电压采集装置与皮拉尼真空计连接,控制电路与电压采集装置连接,电源装置分别与控制电路和皮拉尼真空计连接,皮拉尼真空计用于测量真空度并得到与真空度对应的电压值;电压采集装置用于采集电压值;控制电路用于根据电压值得到对应的实际真空度,并将实际真空度与真空度阈值比较,得到恒流驱动信号或恒温驱动信号;电源装置用于根据恒流驱动信号向皮拉尼真空计提供恒流源,以及用于根据恒温驱动信号向皮拉尼真空计提供恒温源。本发明提供的皮拉尼真空计系统可以实现在高真空和低真空都有较高灵敏度。

    一种热敏探测器性能参数测试结构和测试方法

    公开(公告)号:CN113219317B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202110285398.8

    申请日:2021-03-17

    IPC分类号: G01R31/265

    摘要: 本发明涉及MEMS器件性能参数测试技术领域,具体公开了一种热敏探测器性能参数测试结构,包括敏感区、悬臂梁和框架,其中,敏感区通过悬臂梁分别与两组框架连接,并悬空;框架关于敏感区左右对称设置,敏感区内设置有电阻和热敏单元,悬臂梁内设置有多条导线,框架上设置有第一电连接端口和第二电连接端口,电阻通过两组导线分别与两组第一电连接端口连接,热敏单元通过两组导线分别与两组第二电连接端口连接。本发明还公开了一种热敏探测器性能参数测试方法。本发明提供的一种热敏探测器性能参数测试结构,具有结构简单、操作方便、测量准确等特点。

    一种非制冷红外器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN112611467B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202011338750.1

    申请日:2020-11-25

    IPC分类号: G01J5/10 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及红外探测技术领域,具体公开了一种非制冷红外器件,包括:敏感区、悬臂梁、框架、有源器件和金属引线,其中,所述敏感区通过所述悬臂梁与所述框架机械连接,并悬空;所述有源器件位于所述框架上,并通过所述悬臂梁与所述敏感区电学连接;所述金属引线位于所述有源器件上,将有源器件信号引出。本发明还公开了一种非制冷红外器件的制作方法。本发明通过简单的结构以及与器件兼容的MEMS工艺,实现了一种具有开关与放大功能的非制冷红外器件,该器件可与电路分别制造,且后期通过打线集成;从而克服现有的单片集成和3D集成为实现制作,器件和电路的性能需彼此妥协的问题。

    热敏MEMS阵列器件热学参数测试方法及测试电路

    公开(公告)号:CN111649831B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202010429792.X

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: G01J5/20 G01J5/00

    摘要: 本发明提出一种热敏MEMS阵列器件热学参数测试方法和测试电路,包括:在真空环境中,以逐行或逐列方式给所选通的整行或者整列热敏MEMS像素同时施加瞬态脉冲恒定自热功率,测试并存储各像素的瞬态响应信号电压ΔV1,根据器件热容参数、施加的恒定自热功率值、施加自热功率时长和响应信号电压ΔV1的函数关系计算各像素的热容参数C;以逐行或逐列方式给热敏MEMS阵列像素同时施加不同频率的瞬态脉冲恒定自热功率,周期性重复至各像素达到热平衡稳态,测试并存储各像素的稳态响应信号电压ΔV2。根据器件的频率响应关系计算各像素的热时间常数τ;根据器件热学参数关系计算各像素热导参数G。该方法具有时效性高、简单易行的特点。