公开(公告)号：CN107293385A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710515713.5

申请日：2017-06-29

Applicant: 无锡海古德新技术有限公司

Inventor： 彭海 ,  孙伟

IPC: H01C17/065 ,  H01C17/30

CPC classification number: H01C17/065 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝衬底的电阻浆料厚膜化工艺，在氮化铝衬底分两次印刷银钯导电浆料与电阻浆料并分别进行烘干与烧结以形成银钯导电浆料层与电阻浆料层，电阻浆料层表面开设有至少一个调阻刀口，调阻刀口的横截面呈凵字形，调阻刀口的宽度与调阻刀口的深度之比为2:1～4:1；银钯导电浆料与电阻浆料烧结峰值温度为850±10℃，峰值温度的烧结时间持续9～11分钟，总烧结时间为45～50分钟。通过本发明，克服了现有技术中所存在的功率热点集中的缺陷，提高了膜厚的一致性与成膜质量，并使得最终制备得到的以氮化铝衬底的电子器件所承受的功率得到了极大的提成。

公开(公告)号：CN104715805B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510103020.6

申请日：2015-03-09

Applicant: 无锡海古德新技术有限公司

Inventor： 彭海 ,  孙伟

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料，由如下重量份的组分组成，银钯金属粉75～85份，玻璃粉6～12份，有机载体10～20份。本发明所提供的一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料，主要面对氮化铝(AlN)衬底研制的,适应于制造出大功率、高可靠、高频率、体积小、性能稳定的氮化铝(AlN)功率负载产品；采用的玻璃体系不含有剧毒氧化铅，且具有低熔点、适度膨胀和良好湿润性能等优点，不会与氮化铝(AlN)衬底发生反应,制得的厚膜导体层导电性能好，与氮化铝(AlN)衬底的附着力强。

公开(公告)号：CN104715805A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510103020.6

申请日：2015-03-09

Applicant: 无锡海古德新技术有限公司

Inventor： 彭海 ,  孙伟

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料，由如下重量份的组分组成，银钯金属粉75～85份，玻璃粉6～12份，有机载体10～20份。本发明所提供的一种用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料，主要面对氮化铝(AlN)衬底研制的,适应于制造出大功率、高可靠、高频率、体积小、性能稳定的氮化铝(AlN)功率负载产品；采用的玻璃体系不含有剧毒氧化铅，且具有低熔点、适度膨胀和良好湿润性能等优点，不会与氮化铝(AlN)衬底发生反应,制得的厚膜导体层导电性能好，与氮化铝(AlN)衬底的附着力强。