太阳电池导电电极的生成方法

    公开(公告)号:CN101150150B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610139717.X

    申请日:2006-09-22

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种太阳电池导电电极的生成方法,该方法采用丝网印刷工艺通过网板将导电浆料分别印刷在太阳电池N型极和P型极上,其特征在于,所述丝网印刷工艺所使用的网板印刷导电浆料的面积上覆盖有感光胶膜。使用该网板进行丝网印刷后的导电电极的表面呈现出有规则或无规则高低不平的表面,能有效地阻止熔融金属向某一点聚集,即使是在背电极导电电极的厚度减少后,也不会在导电电极的表面上产生金属或金属合金的结珠和结苞问题,并能有效地释放掺杂玻璃造成的热应力,从而减少太阳电池的弯曲。

    一种电化学沉积太阳能电池金属电极的方法

    公开(公告)号:CN101257059A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200710188267.8

    申请日:2007-11-30

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 一种电化学沉积太阳能电池金属电极的方法,其包括以下步骤:将太阳能电池的含有阴极的表面与电解质溶液接触;将太阳能电池的阳极和固体金属连接;对太阳能电池的主受光表面进行光照;所述电解质溶液中的金属离子接受所述太阳能电池阴极表面产生的电子后生成金属并沉积在所述太阳能电池的阴极表面,同时所述固体金属为所述太阳能电池的阳极提供电子后生成金属离子并溶入电解质溶液。该方法解决了由于金属沉积在阳极造成短路而引起的电池效率下降的问题,同时避免了使用任何电镀挂具损坏太阳能电池片以及造成沉积金属不均匀的可能,并且能有效控制电化学反应速率,保证所沉积的金属的均匀性,特别有利于制备具有选择性扩散结构的太阳能电池。

    一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法

    公开(公告)号:CN1821446A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200610065676.4

    申请日:2006-03-21

    IPC分类号: C23F1/24 H01L21/461

    摘要: 本发明公开了一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法,所述溶液为由氧化剂和氢氟酸溶液混合制成,所述氧化剂为硝酸盐或亚硝酸盐。所述使用方法具体为:将切割成的多晶硅片放入酸腐蚀溶液中进行腐蚀反应,反应时间为30秒-20分钟,酸腐蚀溶液的温度为-10℃-25℃,所述反应时间、酸腐蚀溶液的温度与酸腐蚀溶液中氧化剂和氢氟酸的浓度相协调,以达到去除由线切割多晶硅而产生的损伤层的目的。采用本发明酸腐蚀溶液进行多晶硅绒面的制备,既适用于间隙操作的大规模生产,也适用于连续操作的大规模生产,同时生产中产生的废酸很容易处理。

    半导体基板表面的化学处理方法及其装置

    公开(公告)号:CN100541730C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200710135836.2

    申请日:2007-07-16

    IPC分类号: H01L21/306 C23F1/24

    摘要: 本发明属于半导体制造工业领域。具体公开了一种新的半导体基板表面的化学处理方法及其装置。本发明化学处理方法是利用支架将半导体基板放置在化学溶液的上方,且半导体基板的下表面与化学溶液的液面之间有一定的距离,通过喷射装置将化学溶液喷射到半导体基板的下表面,从而对下表面进行化学处理的;其中,喷射装置喷出的化学溶液的高度为半导体基板的下表面和喷射装置的上端口之间的距离。本发明的装置包括容纳化学溶液的化学槽,将半导体基板放置在化学溶液上方的支架,以及把化学溶液喷射到半导体基板的下表面的喷射装置。本发明的化学处理方法及其装置可以只对半导体基板的某一个表面进行化学处理,而同时不需要对另一个表面做任何的保护。

    一种制备多晶硅绒面的方法

    公开(公告)号:CN1614789A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN200410064831.1

    申请日:2004-09-30

    发明人: 季静佳 施正荣

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/306 C23F1/24

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明属于制造多晶硅太阳能电池领域,涉及制备多晶硅片绒面技术。按照本发明所提供的设计方案,该多晶硅片绒面用酸腐蚀溶液制成,该酸腐蚀溶液是一种氧化剂和氢氟酸混合液,其中,氧化剂的浓度范围为0.01到0.5摩尔/升,氢氟酸的浓度范围为1到15摩尔/升,温度范围为5摄氏度到50摄氏度,酸腐蚀时间范围为5分钟到60分钟。相比传统的采用碱溶液(NaOH或KOH)清除损伤层的方法,经本发明的酸腐蚀溶液腐蚀后的多晶硅片不仅可以形成均匀的绒面,而且可以提高太阳能电池转化效率5%以上。若将本发明的绒面多晶硅太阳能电池层压成组件,可进一步提高转换效率3%。本发明所提供的方法具有成本低,易操作和适宜大规模生产等特点。

    半导体基板表面的化学处理方法及其装置

    公开(公告)号:CN101256953A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200710135836.2

    申请日:2007-07-16

    IPC分类号: H01L21/306 C23F1/24

    摘要: 本发明属于半导体制造工业领域。具体公开了一种新的半导体基板表面的化学处理方法及其装置。本发明化学处理方法是利用支架将半导体基板放置在化学溶液的上方,且半导体基板的下表面与化学溶液的液面之间有一定的距离,通过喷射装置将化学溶液喷射到半导体基板的下表面,从而对下表面进行化学处理的。本发明的装置包括容纳化学溶液的化学槽,将半导体基板放置在化学溶液上方的支架,以及把化学溶液喷射到半导体基板的下表面的喷射装置。本发明的化学处理方法及其装置可以只对半导体基板的某一个表面进行化学处理,而同时不需要对另一个表面做任何的保护。