公开(公告)号：CN115411100A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202110589549.9

申请日：2021-05-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 宋华 ,  顾炎 ,  陈思宇 ,  何乃龙

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请实施例提供的横向绝缘栅双极型晶体管，包括形成于衬底上的漂移区，位于漂移区上的场氧化层，沿第一方向间隔设置的第一阱区和第二阱区；在第一阱区内设置有具有第一导电类型的衬底欧姆接触区和具有第二导电类型的源极欧姆接触区；第二导电类型和第一导电类型相反；衬底欧姆接触区和源极欧姆接触区之间具有接触面，接触面包括两个以上子接触面，各子接触面不连续和/或不共面；各子接触面沿平行于衬底所在的平面方向上具有各子延伸长度，各子延伸长度之和大于衬底欧姆接触区沿第二方向上的延伸长度，并且大于源极欧姆接触区沿第二方向上的延伸长度；如此，提升了LIGBT的抗冲击特性。

公开(公告)号：CN115483281A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202110600489.6

申请日：2021-05-31

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张森 ,  顾炎 ,  陈思宇

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08

Abstract: 本申请实施例提供的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括：形成于衬底上的漂移区，位于所述漂移区上的栅极，位于漂移区上且靠近栅极一侧的发射极区域，以及位于漂移区上且远离栅极一侧的集电极区域；其中，在漂移区的集电极区域所在的一侧设置有两个以上间隔布置的N阱区；在两个以上间隔布置的N阱区之间设置有P阱区；在N阱区上设置有P+接触区；在P阱区上设置有N+接触区；P+接触区和N+接触区均与集电极引出端导电连接；如此，不仅使得改进后的器件结构无需额外再并联FWD来续流，而且提升了整个器件的开关特性。